Підвищення навантажної здібності операційного підсилювача
Основний зміст сторінки статті
Анотація
Досліджена причина локальної нестабільності операційного підсилювача масового застосування. Встановлено, що причина локальної нестабільності полягає в нелінійній залежності ємностей транзисторів від напруги в поточній робочій точці, тому аналіз запасу за фазою в початковій робочій точці є недостатнім. Означено, що традиційний аналіз стійкості не охоплює повноту проблеми. Для вирішення поставленої задачі дослідженні числові підходи до аналізу нестійкості. Запропоновано вирішення задачі за рахунок збільшення об’єму аналіза в частотній області з контрольною перевіркою в часовій області.
Бібл. 3, рис.12.
Блок інформації про статтю
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
Посилання
Pavlov, L. N., Kalnibolotski, Y. M. (2011). Opamp optimization. Electronics and Communications, No.1, Pp.59-62. (Rus)
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. LR4558. DATASHEET 22.04.2006. Two high performance opera-tional amplifiers.
Sze, S. M. and Kwok, K. Ng. (2007). Physics of Semiconductor Devices, Third Edition. A JOHN WILEY & SONS, JNC., PUBLICATION. ISBN-I 3: 978-0-47 1-1 4323-9, ISBN-10: 0-471-14323-5, P. 763.
