Композиційна поляризація багатокомпонентних тринітридів для приладних наноструктур
Основний зміст сторінки статті
Анотація
Розглянуто структурні та технологічні аспекти поляризації багатокомпонентних твердих розчинів сполук А3В5, зокрема, тринітрідів галію, індію та алюмінію. Показано, що при заміщенні в решітках бінарних сполук безлічі атомів різних розмірів, іонних і електронних наноструктур утворюються локальні електричні поля, квантово і оптично розмірні потенційні ями і бар'єри, які можуть об'єднуватися в кластери з переважними напрямками векторів електричного поля. З позицій нових середовищ накопичення енергії проводиться порівняльний аналіз поляризації в багатокомпонентних твердих розчинах напівпровідників і сегнетоелектриків. Вперше багатокомпонентні тверді розчини напівпровідників А3В5 розглядаються як невпорядковані системи атомів на відміну від упорядкованого кристалічного розподілу з трансляційною інваріантністю і симетрією. Запропоновано гетерогенні структури чотирьохкомпонентних твердих розчинів AlInNSb і BInNSb, як перспективні для випромінюючих систем з перетворенням і накопиченням енергії.
Бібл. 20, рис. 5.
Блок інформації про статтю
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
Посилання
Osinsky, V., Osinsky, A., Miller, R. (1963). InGaAsP to Today’s AlInGaNAsP Alloy for LED and Laser Applications.LED 50 years, Proceeding of the LED 50th Anniversary Symposium. October 24-25, 2012, University of Illinois at Urbana-Champaign, USA, pp.156−158.
Masol, I., Osinsky, V., Sergeev, O. (2011). Information nanotechnology, Kiev, Macros. P.506. (Rus)
Goryunova, N. (1968). Sophisticated diamondlike semiconductors, Moscow. Sovetskoe Radio, P.268. (Rus)
Poplavko, Yu., Pereverzeva, L., Voronov, S., Yakimenko, Yu. (2007). Physical Materials Science. Pt.2, Dіelectrics. Kyiv, NTUU “KPІ”, P.392. (Ukr)
Bernardini, F. (2007). Spontaneous and Piezoelectric Polarization: Basic Theory vs. Practical Recipes. Nitride Semiconductor Devices, Edited by Joachim Piprec, Willey, pp.49−69.
Bernardini, F., Fiorentini, V. (2002). Phys. St. Sol. (a), Vol.190, No.1, 65.
Sirota, N. (1965). Some questions of the chemical bond in semiconductors. Himicheskaya svyaz' v poluprovodnikah i tverdyh telah, Minsk, Nauka i tekhnika, pp.12−45. (Rus)
Sirota, N., Osinsky, V. (1966). Radiation of n-p junctions in crystals of solid solutions of indium phosphide-gallium arsenide. A series of “Fizika”, Vol.171, No.2, pp.3I7−3I9. (Rus)
Osinsky, V., Privalov, V., Tihonenko, O. (1981). Optoelectronic multi-component structures on semiconductors. Minsk, Nauka i tekhnika. P.208. (Rus)
Tolpygo, K. (1965). The dynamics of the crystal lattice of the compounds with different types of chemical bond. Himicheskaya svyaz' v poluprovodnikah i tverdyh telah. Minsk, pp.152−161. (Rus)
Folberth, O. G. (1958). Ztschr. Naturforsch., Bd.13a.S.56.
Pearson, W. P. (1959). Canad.J.Chem. Vol.37, P.424.
Makoveckaya, L. (1966). The structure and physical properties of semiconductor alloys InP-GaAs. Kandidatskaya dissertaciya, IFTT i PP ANBSSR, Minsk. (Rus)
Dal Corso, A., Posternak, M., Resta, R., Baldereschi, A. (1994). Ab initio study of piezoelectricity and spontaneous polarization in ZnO. Phys. Rev., B50, 10715.
Bernardini, F., Fiorentini, V. (2001). Nonlinear macroscopic polarization in III-V nitride alloys. Phys.Rev.B64, 0852207.
Osinsky, V., Polуakov, А., Gorokh, G., Liahova, N., Pearton, S. at all. (2009). Non-polar GaN prepared on Si substrates by hydride vapor phase epitaxy using anodized Al nanomask // Appl. Phys. Lett. 94, 022114.
Koshkin, V., Komnik, Yu., Orlova, S. (1965). Some features of the chemical bonding in multicompo-nent compound semiconductor. Himicheskaya svyaz' v poluprovodnikah i tverdyh telah. Minsk, Nauka i tekhnika, pp.304−310. (Rus)
Shpak, A., Kunickij, Yu., Karbovskij, V. (2001). Cluster and nanostructured materials. Kiev, Akademperiodika, P.588. (Rus)
Osinsky, V., Masol, I., Onachenko, M., Sushiy, A. (2013). “Decoherence III-N low-dimensional nanostructures quantum processors”. IX Vserossiyskaya konferencia «Gallium, Indium, Aluminium Ni-trides and structures and devices». Мoscow, pp.100−101. (Rus)
Dyachenko, O., Osinsky, V. (2010). Crystal lattice engineering the novel substrates for III-nitride-oxide heterostructures. Semiconductor physics quantum electronics & optoelectronics. Vol.13, No.2. pp.142−144.
