Аналіз моделей мемристора для програм схемотехнічного проектування
Основний зміст сторінки статті
Анотація
Для побудови пристроїв на основі мемристорів запропоновано низку математичних моделей. У статті зроблено огляд існуючих моделей та порівняльний аналіз для практичного моделювання. Проведено експериментальні дослідження в середовищі MicroCap. Надано рекомендації щодо використання моделей.
Блок інформації про статтю
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
Посилання
L.O. Chua, “Memristor—The missing circuit element,” IEEE Trans. Circuit Theory, vol. CT-18, no. 5, pp. 507–519, Sep. 1971.
L.O. Chua and S.M. Kang, “Memristive devices and systems,” Proc. IEEE, vol. 64, no. 2, pp. 209–223, Feb. 1976.
D.B. Strukov, G.S. Snider, D.R. Stewart, and R.S. Williams, “The missing memristor found,” Nature, vol. 453, pp. 80–83, May 2008.
Y.N. Joglekar and S.J. Wolf, “The elusive memristor: Properties of basic electrical circuits,” Eur. J. Phys., vol. 30, no. 4, pp. 661–675, Jul. 2009.
Z. Biolek, D. Biolek, and V. Biolkova, “SPICE model of memristor with nonlinear dopant drift,” Radio engineering, vol. 18, no. 2, pt. 2, pp. 210–214, Jun. 2009.
T. Prodromakis, B.P. Peh, C. Papavassiliou, and C. Toumazou, “A versatile memristor model with non-linear dopant kinetics,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 58, no. 9, pp. 3099–3105, Sep. 2011.
J. Yu, X. Mu, X. Xi, S. Wang, : Radio engineering 22(4), 969 (2013).
J.J. Yang, M.D. Pickett, X. Li, D.A.A. Ohlberg, D.R. Stewart, and R.S. Williams, “Memristive switching mechanism for metal/oxide/metal nanodevices,” Nature Nanotechnol., vol. 3, pp. 429–433, Jul. 2008.
D. B. Strukov and R.S. Williams, “Exponential ionic drift: Fast switching and low volatility of thin-film memristors,” Appl. Phys. A,Mater. Sci. Process., vol. 94, no. 3, pp. 515–519, Mar. 2009.
G. Simmons, “Generalized formula for the electric tunnel effect between similar electrodes separated by a thin insulating film,” J. Appl. Phys., vol.34, no. 6, pp. 1793–1803, Jan. 1963.
Shahar Kvatinsky, Eby G. Friedman, Fellow, IEEE, Avinoam Kolodny, Senior Member, IEEE, and Uri C. Weiser, Fellow, IEEE «TEAM: ThrEshold Adaptive Memristor Model»
MicroCap // Electronics and communications. - 2015. - Т. 20, № 1. - С. 27-35.
