Using local anodic oxidation to create storage nanodevices

Article Sidebar

PDF (Українська)
Published: Sep 24, 2012
DOI: https://doi.org/10.20535/2312-1807.2012.17.3.219391

Main Article Content

A. I. Zolot
National technical university of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv polytechnic institute"
M. I. Hodakovskiy
P. A. Merzhvinskiy

Abstract

Possibilities of local anodic oxidation (LAO) for superdense information recording using a negative potential on probe of atomic force lithographer (AFL) are investigated in this paper. It is shown that the intensity of LAO surface of metals and semiconductors significantly depends on parameters such as time of oxidation, humidity, type of oxidizable material and anode-cathode potential difference. The possibility of obtaining structures for storage nanodevices is experimentally proved.

Article Details

How to Cite
Zolot, A. I., Hodakovskiy, M. I., & Merzhvinskiy, P. A. (2012). Using local anodic oxidation to create storage nanodevices. Electronics and Communications, 17(3), 14–18. https://doi.org/10.20535/2312-1807.2012.17.3.219391
Issue
Vol. 17 No. 3 (2012)
Section
Vacuum, plasma and quantum electronics
Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Authors who publish with this journal agree to the following terms:

  1. Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with the work simultaneously licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.
  2. Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.
  3. Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).

References

Сагунова И. В., Шевяков В. И., Гаврилов С. А., Белов А. Н Кинетика локального зондового окисления сверхтонких пленок металлов V, Nb, Та, Тi, ТiN, W // Известия вузов. Электроника, 2010, №3 (83).- С.13 - 19.

Jen Fin Lin, Chih kuang Tai, Shuan Li Lin. Theoretical and experimental studies for nanooxidation of silicon wafer by atomic force microscopy // Journal Apply Physics Letters. - 2006. - v. 99. - Р. 05432-1- 054312-11.

Золот А. І., Ходаковський М. І. Дослідження фізико-технологічних процесів формування наноструктур для створення наноприладів та керування їхніми властивостями // Управ- ляющие системы и машины, 2007. - № 1. – С. 48 - 52.

Патент України UA 80154. Пристрій для виготовлення наноструктур / Золотопуп А. І., Ходаковський М. І., Ларкін С. Ю., Коржинський Ф. Й., Мержвинський П. А. - опубл. в бюл. № 13, 2007.

Патент України на корисну модель № 62412. Пристрій зондового анодного окислення наноструктур / Ходаковський М. І., Золот А. І., Ларкін С. Ю., Новіков Є. І., Галстян Г. Г. - Бюл. „Промислова власність” №16, 2011.

Золот А. И., Ходаковский Н. И. Подходы к созданию методов формирования наноэлек- тронных структур с высокой воспроизводимостью / Матер. 18-ой междунар. конф. “СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии”- КрыМиКо’2008.- Севастополь. - 2008. - С. 84 - 85.