Использование локального анодного окисления для создания запоминающих наноприборов

##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##

PDF (Українська)
Опубликован: Sep 24, 2012
DOI: https://doi.org/10.20535/2312-1807.2012.17.3.219391

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

A. I. Zolot
Национальный технический университет Украины «Киевский политехнический институт имени Игоря Сикорского»
M. I. Hodakovskiy
P. A. Merzhvinskiy

Аннотация

В работе исследованы возможности метода локального анодного окисления (ЛАО) для получения сверхплотной записи информации с использованием отрицательного потенциала на зонде атомно-силового литографа (АСЛ). Показано, что интенсивность ЛАО поверхности металлов и полупроводников существенно зависит от таких параметров, как время окисления, влажность воздуха, вид окисляемого материала и анодкатодна разность потенциалов. Экспериментально обоснована возможность получения структур для запоминающих наноприборов.

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Как цитировать
Zolot, A. I., Hodakovskiy, M. I., & Merzhvinskiy, P. A. (2012). Использование локального анодного окисления для создания запоминающих наноприборов. Электроника и Связь, 17(3), 14–18. https://doi.org/10.20535/2312-1807.2012.17.3.219391
Выпуск
Том 17 № 3 (2012)
Раздел
вакуумная, плазменная и квантовая электроника
Лицензия Creative Commons

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.

Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:

  1. Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
  2. Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
  3. Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).

Библиографические ссылки

Сагунова И. В., Шевяков В. И., Гаврилов С. А., Белов А. Н Кинетика локального зондового окисления сверхтонких пленок металлов V, Nb, Та, Тi, ТiN, W // Известия вузов. Электроника, 2010, №3 (83).- С.13 - 19.

Jen Fin Lin, Chih kuang Tai, Shuan Li Lin. Theoretical and experimental studies for nanooxidation of silicon wafer by atomic force microscopy // Journal Apply Physics Letters. - 2006. - v. 99. - Р. 05432-1- 054312-11.

Золот А. І., Ходаковський М. І. Дослідження фізико-технологічних процесів формування наноструктур для створення наноприладів та керування їхніми властивостями // Управ- ляющие системы и машины, 2007. - № 1. – С. 48 - 52.

Патент України UA 80154. Пристрій для виготовлення наноструктур / Золотопуп А. І., Ходаковський М. І., Ларкін С. Ю., Коржинський Ф. Й., Мержвинський П. А. - опубл. в бюл. № 13, 2007.

Патент України на корисну модель № 62412. Пристрій зондового анодного окислення наноструктур / Ходаковський М. І., Золот А. І., Ларкін С. Ю., Новіков Є. І., Галстян Г. Г. - Бюл. „Промислова власність” №16, 2011.

Золот А. И., Ходаковский Н. И. Подходы к созданию методов формирования наноэлек- тронных структур с высокой воспроизводимостью / Матер. 18-ой междунар. конф. “СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии”- КрыМиКо’2008.- Севастополь. - 2008. - С. 84 - 85.