Сравнение эффективности рекомбинации неравновесных носителей в структурах с квантовыми точками и квантовыми ямами, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Аннотация
В статье приводятся результаты сравнения эффективности рекомбинации неравновесных носителей в InGaN квантовых точках (QDs) и квантовых ямах (QWs), излучающих в зеленом диапазоне спектра. Результаты оптических исследований с использованием температурно-зависимой фотолюминесценции (PL) показали, что внутренняя квантовая эффективность InGaN квантовых точек при комнатной температуре была в 8,7 раза больше, чем полученная для InGaN квантовых ям из-за лучшей пространственной локализации электрически заряженных частиц. Результаты измерений спектров фотолюминесценции при различных уровнях лазерного возбуждения показали, что влияние поляризационно-встроенных электрических полей на рекомбинационные процессы электрически заряженных частиц в кантовых точках ничтожно малы по сравнению с квантовыми ямами. Полученные результаты показывают, что InGaN квантовые точки улучшают эффективность люминесценции светодиодов в зеленом и голубом спектральных диапазонах.
Библ. 19, рис. 4, табл. 1.
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:- Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
- Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
- Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).
Библиографические ссылки
D. Leonard, M. Krinshnamurthy, C.M. Reaves, S.P. Denbaars, P.M. Petroff, Appl. Phys. Lett. 63 (1993) 3203.
F.A. Ponce, D.P. Bour, Nature 386 (1997) 351.
S. Nakamura, Science 281 (1998) 956.
Y.K. Su, S.J. Change, IEEE Trans. Electron Dev. 49 (2002) 1361.
L.W. Wu, T.C. Wen, IEEE J. Quantum Elec-tron, 38 (2002) 446.
B. Damilano, N. Grandjean, Appl. Phys. Lett., 75 (1999) 3751.
K. Tachibana, T. Someya, Appl. Phys. Lett., 74 (1999) 383.
C. Adelmann, J. Simon, Appl. Phys. Lett., 76 (2000) 1570.
L.W. Ji, Y.K. Su, S.J. Chang, J. Cryst. Growth 249 (2003) 144.
L.W. Ji, T.H. Fang, Mater. Lett. 57 (2003) 4218.
I.K. Park, M.K. Kwon, C.Y. Cho, J.Y. Kim, C.H. Cho and S.J. Park, Appl. Phys. Lett. 92, 253105 (2008).
D.J. Eaglesham and M. Cerullo, Phys. Rev. Lett. 64, 1943 (1990).
J.D. Lambkin, L. Considine, S. Walsh, G.M. Connor, C.J. McDonagh and T.J. Glynn, Appl. Phys. Lett. 65, 73 (1994).
W. Stadler, D.M. Hofmann, H.C. Alt, T. Mus-chik, B.K. Meyer, E. Weigel, G. Muller-Vogt, M. Salk, E. Rupp and K. W. Benz, Phys. Rev. B 51, 10619 (1995).
S.H. Park, J.J. Kim and H.M. Kim, J. Korean Phys. Soc. 45, 582 (2004).
Y.H. Cho, H.S. Kwack, B.J. Kwon, J. Barjon, J. Brault, B. Daudin and L.S. Dang, Appl. Phys. Lett. 89, 251914 (2006).
J. Bai, T. Wang and S. Sakai, Appl. Phys. 88, 4729 (2000).
S. Fafard, R. Leon, D. Leonard, J.L. Merz and P.M. Petroff, Phys. Rev. B 52, 5752 (1995).
Y. Narukawa, Y. Kawakami, S. Fujita and S. Nakamura, Phys. Rev. B 59, 10283 (1997).
