Пироотклик в полупроводниках группы АIIIВV в условиях ограничения их деформации
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Аннотация
Показано, что скалярные тепловое воздействие может вызвать пироэлектричество в пьезоэлектрических классах полярных кристаллов, и самое важное применение этого эффекта ожидается полупроводниках-пьезоэлектриках группы АIIIВV. Искусственный пироэлектрический эффект определяется как механически индуцированная поляризация в частично зажатом пьезоэлектрике, подвергнутому равномерному нагреву. Частичное зажатие создается неоднородными граничными условиями, которые ограничивают тепловую деформацию пьезоэлектрического кристалла, обеспечивая создание в нем равномерного но не изотропного напряженного состояния. Ограничение планарной деформации в плоскости (111) пластины или мембраны из полуизолирующих кристаллов типа АIIIВV открывает возможности разработки нового типа микроэлектронных датчиков. Они могут иметь преимущества по сравнению с гибридными датчиками типа «диэлектрик-полупроводник» и полупроводниковыми датчиками, которым необходимо охлаждение.
Библ . 4, рис. 5
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:- Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
- Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
- Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).
Библиографические ссылки
R.Kohler, P.Padmini, G.Gerlach, G.Hofmann, R.Bruchhaus. (1998), “Pyroelectric IR-detector arrays
based on sputtered PZT thin films”. Integrated Ferroelectrics. Vol. 22, Рp.383-392.
Y. Poplavko, L. Pereverzeva. (1992), “Pyroelectricity of partially clamped piezoelectrics.” Ferroelectrics (USA). Vol. 130, Pp. 361-366.
W. Mason. (1966), ”Crystal Physics of Interaction Processes”. NY Academic Press.
L. Pereverzeva, Y. Poplavko, S. Sklyarenko, A. Chepilko, V. Zavorotny. (1992), “Thermopiezoelectricity in non-central crystals, Sov. Phys”. Solid State. Vol. 34(1), Pp.147-151.
