Температурные свойства полупроводниковых резонансных структур с электронным управлением
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Аннотация
Рассмотрены p-i-n диоды как многослойные электродинамические системы. Показано, что в таких системах возможно возникновение электромагнитного резонанса E-типа. На основе данного подхода получены аналитические выражения для оценки температурных зависимостей параметров таких приборов. Экспериментально исследованы температурные свойства резонансных систем на основе p-i-n диодов, изготовленных из кремния и арсенида галлия, а именно зависимость резонансной частоты и собственной добротности от температуры в миллиметровом диапазоне длин волн. Показана целесообразность использования p-i-n диодов как управляемых резонансных структур в сверхвысокочастотном диапазоне.
Библ . 5, рис. 3, табл . 1.
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:- Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
- Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
- Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).
Библиографические ссылки
Poplavko Y., Molchanov V., Pashkov V., Furman E., Lanagan M. (2007), “Frequency tunable micro-wave dielectric devices”. Telecommunication and Radio Engineering, Begell House Press, USA. Vol.66, Issue 15, pp. 1371–1379.
Voronkin A.S. (2008), “The automated simulation of parameters of passive lumped elements and line-building-out networks in RF/UHF devices”. Luhansk, Visnyk Skhidnoukrainskoho natsionalnoho uni-versytetu imeni Volodymyra Dalia. Vol. 1Е [Online resource]. http://nbuv.gov.ua/e-journals/Vsunud/2008-1E/08vassvp.htm. (Rus)
Molchanov V.I., Pashkov V.M., Tatarchuk D.D. (2000), “The semiconductor combined structures with E-type dielectric resonance”. Electronics and Communications. Vol. 9, pp. 55–58. (Ukr)
Molchanov V.I., Pashkov V.M., Tatarchuk D.D., Yeremenko A.V. (2003), “The semiconductor resonant structures with electronic control”. Electronics and Communications. Vol. 19, pp. 17–19. (Ukr)
Tatarchuk D.D., Molchanov V.I., Didenko Yu.V., Franchuk A.S. (2013), “The resonance properties of p-i-n-diodes in the UHF range”. Visnyk KhNTU. Vol. 2(47), pp. 339–342. (Ukr)
