Улучшение обратных характеристик диода Шоттки с охранным кольцом
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Аннотация
Диоды Шоттки используются во многих областях электроники в качестве выпрямительных и импульсных диодов. Технология изготовления диода Шоттки с охранным кольцом позволяет существенно улучшить защиту перехода металл-полупроводник от возможного поверхностного пробоя.
Существующие способы геттерирования структурных дефектов и примесей в кремнии обычно не вписываются в тот или иной технологический маршрут изготовления полупроводникового прибора и поэтому является для него неэффективными. В связи с этим целесообразно разработка технологических приемов геттерирования индивидуальна для каждого типа технологического маршрута изготовления полупроводникового прибора с учетом его индивидуальных особенностей.
Данная работа посвящена исследованию конструктивно-технологических особенностей изготовления диода Шоттки с охранным кольцом и на основе результатов анализа проведения оптимизации технологии его изготовления, направленной на повышение выхода годных диодов.
Разработаная технологии позволяет существенно увеличить пробивные напряжения р-n переходов областей охранного кольца и значительно уменьшить уровень обратных токов диодов Шоттки.
Библ. 4, рис. 3, табл. 1.
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:- Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
- Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
- Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).
Библиографические ссылки
Bogach N.V., Gusev V.A., Litovchenko P.G. (1981), “Gettering of packing defects and heavy metal impurities in silicon”. Semiconductor technology and microelectronics. Kiev, MY. 34. Pp. 3-20. (Rus)
Zi S. (1984), “Physics of Semiconductor Devices: In the 2 books. Book 1”. Mir, p. 456. (Rus)
Rayvi K. (1984), “Defects and impurities in semiconductor silicon”. Mir, p. 475. (Rus)
Roderick E. H. (1982), “Contacts metal-semiconductor”. M. Radio and communication, p.208. (Rus)
