Радиационно-термическая обработка мощных биполярных транзисторов с антиумножительным слоем

##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##

PDF
Опубликован: Nov 11, 2012
DOI: https://doi.org/10.20535/2312-1807.2012.17.5.217938
Ключевые слова:
радиационно- термическая обработка, мощный биполярный транзистор, время выключения

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

A. V. Borysov
Национальный технический университет Украины «Киевский политехнический институт имени Игоря Сикорского»
V. A. Husev
D. H. Murzyn

Аннотация

Проведен анализ и экспериментальные исследования особенностей взаимодействия альфа-частиц с полупроводником для повышения быстродействия транзисторных структур. Результаты экспериментальных исследований показали, что введение в технологический процесс производства мощных биполярных транзисторов радиационно-термической обработки пластин альфа-частицами позволило обеспечить двукратный запас по быстродействию.

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Как цитировать
Borysov, A. V., Husev, V. A., & Murzyn, D. H. (2012). Радиационно-термическая обработка мощных биполярных транзисторов с антиумножительным слоем. Электроника и Связь, 17(5), 5–9. https://doi.org/10.20535/2312-1807.2012.17.5.217938
Выпуск
Том 17 № 5 (2012)
Раздел
Твердотельная электроника
Лицензия Creative Commons

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.

Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:

  1. Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
  2. Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
  3. Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).

Библиографические ссылки

Vobecky J. Optimization of Power Diode Char- acteristics by Means of Ion Irradiation /

J. Vobecky, P. Hazra, I. Homola // IEEE Trans. On El. Dev. – 1996. – V. 43, № 12. – P. 2283–

Гусев В.А. Радиационно-термическая обра- ботка α-частицами кремниевых эпитакси- альных структур и импульсных диодов на их основе / В.А. Гусев, А.В. Борисов // Электро- ника и связь. – 2000. – Т. 2, № 8. – С. 298– 300.

Блихер А. Физика силовых биполярных и полевых транзисторов / А. Блихер. – Л. : Энергоатомиздат, 1986. – 248 с.