Фоточувствительные структуры с пористым кремнием

##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##

PDF (Українська)
Опубликован: Sep 24, 2012
DOI: https://doi.org/10.20535/2312-1807.2012.17.4.218984

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

T. Yu. Bilyk
Национальный технический университет Украины «Киевский политехнический институт имени Игоря Сикорского»
S. S. Shkarnikov

Аннотация

Были исследованы пластины со слоем пористого кремния, полученные методом химического травления. С использованием монохроматора были получены спектральные зависимости фоточувствительности контакта Al / пористый кремний и сравнению с аналогичным зависимости контакта Al / c-Si. Анализ полученных данных показал, что светочувствительность в случае со слоем пористого кремния на порядок выше и на спектральной зависимости наблюдается коротковолновый «хвост». Интегральная фоточувствительность контакта растет с увеличением продолжительности пищеварения, пока не достигает насыщения при времени пищеварения примерно в 1,5 минуты.

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Как цитировать
Bilyk, T. Y., & Shkarnikov, S. S. (2012). Фоточувствительные структуры с пористым кремнием. Электроника и Связь, 17(4), 11–13. https://doi.org/10.20535/2312-1807.2012.17.4.218984
Выпуск
Том 17 № 4 (2012)
Раздел
Твердотельная электроника
Лицензия Creative Commons

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.

Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:

  1. Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
  2. Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
  3. Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).

Библиографические ссылки

Беляков Л.В., Горячев Д.Н., Сресели О.М. Фотоответ и электролюминесценция структур кремний-<пористый кремний>-<химически осажденный металл> // ФТП. – 2000 – Т.34. - №11. - С. 1386-1390.

Torres-Costa V., Agulló-Rueda F., Martín- Palma R.J. Martínez-Duart J.M. Porous silicon optical devices for sensing applications // Opt. Mater. – 2005 – 27. – P. 1084—1087.

Jalkanen T., Tuura J., Mäkilä E., Salonen J. Electro-optical porous silicon gas sensor with enhanced selectivity. // Sensors and Actuators, B Chemical. – 2010 - 147 (1). - P. 100-104.

Юзова В.А., Левицкий А.А., Харлашин П.А. Развитие технологии получения и исследования пористого кремния // Журнал Сибирского федерального университета. Техника и технологии. – 2011 – Т.4. - №1. –С. 92-111.

Білик Т.Ю., Шмирєва О.М., Алябушев В.І. Електрофізичні властивості гетероструктур наноструктурований кремній/моно кремній // Электроника и связь, Тематический выпуск

«Проблемы электроники» ч. 2. – 2009. – №4- 5. – С. 59–62.