Исследование спектральных зависимостей коэффициента поглощения в тонких пленках гидрированного кремния методом постоянного фототока с модулированным возбуждением

##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##

PDF
Опубликован: Sep 24, 2012
DOI: https://doi.org/10.20535/2312-1807.2012.17.2.219617
Ключевые слова:
протокристаллический кремний, моносилан, кремниевый нанокристалл, рамановская спектроскопия, метод постоянного фототока, фотопроводимость, спектр поглощения

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

A. V. Emelyanov
Национальный технический университет Украины «Киевский политехнический институт имени Игоря Сикорского»
A. G. Kazanskiy
P. K. Kashkarov
S. Yu. Larkin
Ye. I. Novikov
P. A. Forshand
M. V. Khenkin

Аннотация

Исследованы спектральные зависимости коэффициента поглощения в тонких пленках аморфного гидрированного кремния, полученных разложением смеси моносилана и водорода при относительной доле водорода в газовой смеси, соответствующей условиям начала формирования нанокристаллической фазы в структуре пленок. Для измерения спектральных зависимостей коэффициента поглощения предложен и использован модифицированный метод постоянного фототока, основанный на модуляции возбуждающего светового потока. Исследовано влияние освещения различной длительности на спектры поглощения пленок, измеренных предложенным методом. По результатам исследования пленок a-Si:H, полученных в условиях, соответствующих началу формирования кристаллической фазы, можно предположить наличие в структуре пленок нанокристаллов кремния, влияющих на оптические свойства a-Si:H.

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Как цитировать
Emelyanov, A. V., Kazanskiy, A. G., Kashkarov, P. K., Larkin, S. Y., Novikov, Y. I., Forshand, P. A., & Khenkin, M. V. (2012). Исследование спектральных зависимостей коэффициента поглощения в тонких пленках гидрированного кремния методом постоянного фототока с модулированным возбуждением. Электроника и Связь, 17(2), 5–9. https://doi.org/10.20535/2312-1807.2012.17.2.219617
Выпуск
Том 17 № 2 (2012)
Раздел
Твердотельная электроника
Лицензия Creative Commons

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.

Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:

  1. Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
  2. Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
  3. Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).

Библиографические ссылки

Peculiarity of constant photocurrent method for silicon films with mixed amorphous- nanocrystalline structure / A.G. Kazanskii, G. Kong, X. Zeng, H. Hao, F. Liu // J. Non-Cryst. Solids. – 2008. – Vol. 354. – P. 2282 – 2285.

Heterogeneity in hydrogenated silicon: Evi- dence for intermediately ordered chainlike objects / D.V. Tsu, B.S. Chao, S.R. Ovshinsky,S.J. Jones, J. Yang, S. Guha, R. Tsu // Phys. Rev. B. – 2001. – Vol. 63, № 12. – P. 125338-1– 125338-9.

Structural order on different length scales in amorphous silicon investigated by Raman spectroscopy / S. Muthamann, F. Köhler, R. Carius, A. Gordijn // Phys. Status. Solidi A. – 2010. – Vol. 207, № 3. – P. 544 – 547.

Direct measurement of the gap states and band tail absorption by constant photocurrent method in amorphous silicon / M. Vanecek, J. Kocka, J. Stuchlik, A. Triska // Solid State Communication. – 1981. – Vol. 39, № 11. – P. 1199 – 1202.

Уточнение метода постоянного фототока для определения плотности локализованных состояний в a -Si : H / Е.И. Теруков, Г. Мелл, О.И. Коньков, А.А. Андреев // ФТП. – 1986. – Т. 20, № 11. – С. 2106 – 2108.

Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. – М.: Физматгиз, 1963. – 496 с. – (Серия «Физика полупроводников и полупроводниковых приборов»).

Staebler D.L., Wronski C.R. Reversible conductivity changes in discharge-produced amor- phous Si // Appl. Phys. Lett. – 1977. – Vol. 31,№ 4. – P. 292 – 294.

Structural order on different length scales in amorphous silicon investigated by Raman spectroscopy / M. Shmidt, L. Korte, A. Laades, R. Stangl, Ch. Schubert, H. Angermann, E. Сonrad, K.V. Maidel // Thin Solid Films. – 2007. – Vol. 515, № 19. – P. 7475 – 7480.