Применение наноподибних структур для решении задач обеспечение электромагнитной совместимости
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Аннотация
Экранирование электрических, магнитных и электромагнитных полей в диапазоне частот от единиц, десятков килогерц до нескольких десятков гигагерц. Описаны требования к электромагнитному экранирование наноструктурных композитных материалов. Определены методы экранирования на основе отражающих или поглощающих нанокомпозитных структур для применения в протизавадових фильтрах
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:- Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
- Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
- Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).
Библиографические ссылки
SHmyreva A.N. Mel'nichenko N.N. “Fotoelektricheskie svojstva nanoporistogo kremniya i optoelektronnye sensory na ego osnove [ Photoelectric properties of nanoporous silicon and optoelectronic sensors based on it]”, Electronics and communication, vol. 54, no.1, pp. 17-24, 2010
Golikova O.A., Kazanin M.M. ” Vliyanie nanokristallicheskih vklyuchenij na fotochuvstvitel'nost' plenok amorfnogo gidrirovannogo kremniya [Effect of nanocrystalline inclusions on the photosensitivity of amorphous hydrogenated silicon films] “, Fizika tekhnika poluprovodnikov, vol. 34, no. 6, pp. 762-765, 2000
Imri J. Vvedenie v mezoskopicheskuyu fiziku [Introduction to Mesoscopic Physics], Moscow: FIZMATLIT, 2004, p. 304
Hamakava J., Amorfnye poluprovodniki i pribory na ih osnove [Amorphous semiconductors and devices based on them], Moscow: Metallurgiya, 1986, p. 188
Bonch-Bruevich V.L., Kalashnikov S.G. Fizika poluprovodnikov [Semiconductor physics], Moscow: The science. Main editorial office of physical and mathematical literature, vol.3, p. 679, 1987
Bahov V.A., Mazinov A.S., Pisarenko L.D. “Detalizaciya lokalizovannyh urovnej neuporyadochennyh poluprovodnikovyh struktur [Detailing of localized levels of disordered semiconductor structures] “, Electronics and communication, vol. 54, no.1, pp. 12-16, 2010
Ridley B.K. Quantum processes in semiconductor, Oxford University Press, 1982, p. 302
Ansel'm A.I. “Vvedenie v teoriyu poluprovodnikov [Introduction to semiconductor theory]”, Moscow: Nauka, 1978, p. 616
Madelung O. “Fizika tverdogo tela. Lokalizovannye sostoyaniya [Solid state physics. Localized states]”, Moscow: Nauka. Glavnaya redakciya fiziko-matematicheskoj literatury, 1985, p. 184
Mazinov A.S., Bahov V.A., Karavajnikov A.V. “Vliyanie aperiodichnosti nanouporyadochennyh struktur na soprotivlenie [Influence of aperiodicity of nanoordered structures on resistance]” Kry-MiKo, no. 20, pp. 840-841, 2010
Mazinov A.S., Lisovec E.V., Karavajnikov A.V. “Vliyanie koncentracii vodoroda v magnetronnoj kamere na gidrirovanie kremnievoj amorfnoj plenki [Effect of the concentration of hydrogen in the magnetron chamber on the hydrogenation of an amorphous silicon film]“, Vestnik SumGU, vol. 69, no. 10, pp.101–110, 2004
