Наногетероэпитаксиальные структуры с квантовыми точками, полученные методом жидкофазной эпитаксии на основе GaP

##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##

pdf
Опубликован: Mar 31, 2011
DOI: https://doi.org/10.20535/2312-1807.2011.16.4.242710
Ключевые слова:
аногетероэпитаксиальные структуры, квантовые точки, жидкофазная эпитаксия, импульсное охлаждение и нагревание подложки

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

С.В. Бондарец
С.Ю. Быковский
И.Е. Марончук
И.И. Марончук
А.Н. Петраш
С.Б. Смирнов
Д.Д. Саникович

Аннотация

Описан метод получения наногетероструктур с массивами квантовых точек в процессе жидкофазной эпитаксии при импульсном охлаждении и нагревании подложки. Приведены экспериментальные результаты по выращиванию гетероструктур на основе GaP с квантовыми точками Ge, InAs и исследованию их параметров с помощью атомно-силовой микроскопии и фотолюминесценции

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Как цитировать
Бондарец, С. ., Быковский, С. ., Марончук, И. ., Марончук, . И. ., Петраш, А. ., Смирнов, С. ., & Саникович, Д. . (2011). Наногетероэпитаксиальные структуры с квантовыми точками, полученные методом жидкофазной эпитаксии на основе GaP. Электроника и Связь, 16(4), 15–20. https://doi.org/10.20535/2312-1807.2011.16.4.242710
Выпуск
Том 16 № 4 (2011)
Раздел
Наноструктуры и нанотехнологии в электронике
Лицензия Creative Commons

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.

Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:

  1. Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
  2. Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
  3. Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).

Библиографические ссылки

Cuadra L., Marti A., Lopez N., 3rd World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, Osaka, Japan, May 11-18, 2003, PCD IPL-B2-01.

Алферов Ж.И., Леденцов Н.Н., Устинов В.М., и др. // ФТП. 1998. Т. 32. № 4.

Norman A.G., Hanna M.C., Dippo P., Levi D.H., Reedy R.C., Ward J.S., and Al-Jassim M.M. InGaAs/GaAs QD Superlattices: MOVPE Growth, Structural and Optical Characterization, and Application in Intermediate- Band Solar Cells, Prepared for the 31IEEE Photovoltaics Specialists Conference and Exhibition Lake Buena Vista, Florida January 3–7, 2005 February 2005 • NREL/CP-520-37405

Марончук И.Е., Кулюткина Т.Ф., Шорохов А.В. // Письма в ЖТФ. 1995. Т. 21. № 20.

Dubrovskij V.G. Teoriya formirovaniya epitaksial'nyh struktur. [ Theory of the formation of epitaxial structures], Moscow:FIZMATLIT, 2009, p. 350

I.E. Maronchuk, A.I. Maronchuk, T.F. Kulyutkina, M.V. Najdenkova, I.V.CHornyj “Formirovanie kvantovyh tochek v processe zhidkofaznoj epitaksii metodom impul'snogo ohlazhdeniya nasyshchennogo rastvora-rasplava [Formation of quantum dots in the process of liquid-phase epitaxy by the method of pulse cooling of a saturated solution-melt]”, Poverhnost', rentgenovskie, sinhrotronnye i nejtronnye issledovaniya, no.12, pp. 97-101, 2005

Frenkel' YA.I. Vvedenie v teoriyu metallov [Introduction to the theory of metals], Leningrad: Nauka, 1972, 369 с.

Cánovas E., Martí A., Fuertes D., Proceedings 23rd European Photovoltaic Solar Energy Con ference, 1-5 September, 1CV.1.21 (2008), Valencia, Spai Sakato I., Kawanami H. Band Discontinuities in Gallium Phosphide/Crystalline Silicon Hetero- junctions Studied by Internal Photoemission, Applied Physics Express 1 (2008) 091201

Smirnov S.B., Maronchuk I.E., Maronchuk I.I., Petrash A.N. “Raschet energeticheskogo spektra S-elektronov sfericheskoj kvantovoj tochki na osnove uzkozonnyh poluprovodnikovyh soedinenij AIIIBV v matrice GaP [Calculation of the energy spectrum of S-electrons of a spherical quantum dot based on narrow-gap semiconductor IIIIBV compounds in a GaP matrix]”, Sbornik nauchnih trudov SNUYAEiP. Vol.37, No.1, pp. 164-168, 2011