Кластерная модель образования нитрида алюминия в нанореакторах оксида алюминия

##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##

Опубликован: Mar 31, 2011
DOI: https://doi.org/10.20535/2312-1807.2011.16.4.244508
Ключевые слова:
кластеры, нанореакторы, оксид аллюминия, нитрид алюминия

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

В.И. Глотов
П.В. Деминский Демінский
Н.О. Ляхова
И.В. Масол
В.И. Осинский

Аннотация

Предложен и реализован нетрадиционный метод получения кластеров гетерогенных и гомогенных наноструктур оксидовнитридов алюминия путем замещения части
атомов кислорода низкоэнергетическими
ионами азота в твердой фазе внутри нанопор оксида алюминия Al2O3 (наносапфира).
Экспериментально получены нанослои AlN,
AlNxO1-x, Al2O3 и показана возможность замещения атомов кислорода атомами азота
при сравнительно низкой температуре и
энергии ионов, необходимой для разрыва в
достаточном количестве химических связей
Al-O и встраивания атомов азота в пленку с
образованием локальных фаз AlN, AlNxO1-x.

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Как цитировать
Глотов, В. ., Демінский, П. Д., Ляхова, Н. ., Масол, И. ., & Осинский, В. . (2011). Кластерная модель образования нитрида алюминия в нанореакторах оксида алюминия. Электроника и Связь, 16(4). https://doi.org/10.20535/2312-1807.2011.16.4.244508
Выпуск
Том 16 № 4 (2011)
Раздел
Наноструктуры и нанотехнологии в электронике
Лицензия Creative Commons

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.

Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:

  1. Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
  2. Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
  3. Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).

Библиографические ссылки

V. Y. Osynskyi, O. D. Diachenko, and P. V. Demynskyi, “ Upravlenie svojstvami slozhnyh III-oksidnyh nanokristallicheskih elementov v tekhnologii optoelektronnyh priborov na nitridah galliya, indiya i alyuminiya [Controlling the properties of complex III-oxide nanocrystalline elements in the technology of optoelectronic devices based on gallium, indium and aluminum nitrides] “, Opt-el. іnf-energ. tekhn., vol. 20, no. 2, pp. 122–130, Jan. 2021.

SHpak A.P., Kunickij YU.A. Karbovskij V.L., Klasternye i nanostrukturnye materialy [Cluster and nanostructured materials], Kiev, Akademperiodika, 2001.

Rabinovich V.A., Havin Z.YA., Kratkij himicheskij spravochnik [Brief chemical reference book], Moscow, «Himiya», 1978.

Osinsky V., Dyachenko O., “Crystal lattice engeneering the novel-substrates for III-nitride-oxide heterostructures”, Semiconductor physics, Quantum electronics and optoelectronics, Vol.13, no.2, pp.141–144, 2010