Разработка программного симулятора сетей на кристалле

##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##

pdf (Українська)
Опубликован: Mar 31, 2011
DOI: https://doi.org/10.20535/2312-1807.2011.16.4.244574
Ключевые слова:
истема на кристалле (СнК), сеть на кристалле (СтнК), маршрутизатор, симулятор

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

Д.А. Феськов
А.Ю. Романов

Аннотация

В статье рассмотрена концепция сетей на кристалле (СтнК) как перспективная альтернатива подсистеме связи многопроцессорных систем с шинной архитектурой. В качестве необходимого программного средства оценки параметров производительности СтнК разработан симулятор сетей, рассмотрены его возможности и представлены результаты апробации.

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Как цитировать
Феськов, Д. ., & Романов, А. . (2011). Разработка программного симулятора сетей на кристалле. Электроника и Связь, 16(4), 48–52. https://doi.org/10.20535/2312-1807.2011.16.4.244574
Выпуск
Том 16 № 4 (2011)
Раздел
Твердотельная электроника
Лицензия Creative Commons

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.

Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:

  1. Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
  2. Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
  3. Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).

Библиографические ссылки

L. T. Canham, “Silicon Quantum Wire Array Fabrication by Electrochemical and Chemical Dissolution of Wafers,” Applied Physics Letters, vol. 57, no. 10, 1990, p. 1046. doi:10.1063/1.103561

Korsunskaya N.E., Stara T.R., Homenkova L.YU., Svezhencova E.V., Mel'nichenko N.N., Sizov F.F., “Priroda izlucheniya poristogo kremniya, poluchennogo himicheskim travlenim [The nature of radiation from porous silicon obtained by chemical etching]“, Fіzika i tekhnika poluprovodnikov, vol. 44, no. 1, pp. 82 – 86, 2010