Особливості пороутворення напівпровідників на прикладі селеніду цинку та фосфіду індію
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Аннотация
Представлена методика получения пористых слоев ZnSe и InP путём электрохимического травления в кислых растворах. Морфология поверхности исследовалась на cканирующем электронном микроскопе. Методом энерго дисперсионной рентгеновской спектроскопии (EDAX) определен химический состав поверхности полученных пористых слоев
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
![Лицензия Creative Commons](http://i.creativecommons.org/l/by/4.0/88x31.png)
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:- Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
- Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
- Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).
Библиографические ссылки
S. Kozickij, D. Polishchuk, V. Pisarskij, N. Kompanichenko, I. CHaus, and V. Andrejchenko, “Poluchenie metodom samorasprostranyayushchegosya vysokotemperaturnogo sinteza selenida cinka i ego svojstva [Production of zinc selenide by self-propagating high-temperature synthesis and its properties]”, Izv. AN SSSR. Neorganicheskie materialy, vol. 27, no. 12, pp. 2516–2519, Jan. 1991.
S. Zubric’kij and S. Kozic’kij, “Fotolyumіnescencіya polіkristalіv ZnSe, otrimanih metodom samoposhiryuvanogo visokotemperaturnogo sintezu, [Photoluminescence of ZnSe polycrystals, removed by the method of self-spreading high-temperature synthesis]”, Ukr. fіz. ZHurnal, vol. 37, no. 11, pp. 52–58.
Y. Vaksman and S. Kozickij, “Lyuminescenciya selenida cinka, poluchennogo metodom samorasprostranyayushchegosya visokotemperaturnogo sinteza, [Luminescence of zinc selenide obtained by self-propagating high-temperature synthesis]”, ZHurnal prikladnoj spektroskopii, vol. 64, no. 3, pp. 454–459.
L. T. Canham, “Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers”, Phys. Lett, vol. 10, pp. 1046–1048, Jan. 1990.
V. M. Demidovich, G. B. Demidovich, and S. N. Kozlov, “Absorbcionno-chuvstvitel’nyj diod na poristom kremnii, [Porous Silicon Absorption Sensitive Diode]”, Pis’ma v ZHTF, vol. 18, no. 14, pp. 57–59, Jan. 1992.
A. Liu, “Microstructure and photoluminescence spectra of porous InP”, Nanotechnology, vol. 12, no. 3, pp. L1-L3, Aug. 2001 https://doi.org/10.1088/0957-4484/12/3/101
S. Langa, J. Carstensen, M. Christophersen, H. Föll, and I. M. Tiginyanu, “Observation of crossing pores in anodically etched -GaAs”, Applied Physics Letters, vol. 78, no. 8, pp. 1074–1076, Feb. 2001 https://doi.org/10.1063/1.1350433
S. Langa, “Uniform and Nonuniform Nucleation of Pores during the Anodization of Si, Ge, and III-V Semiconductors”, Journal of The Electrochemical Society, vol. 152, no. 8, p. C525, Jan. 2005 https://doi.org/10.1149/1.1940847
P. Schmuki, D. J. Lockwood, H. J. Labbé, and J. W. Fraser, “Visible photoluminescence from porous GaAs”, Applied Physics Letters, vol. 69, no. 11, pp. 1620–1622, Sep. 1996 https://doi.org/10.1063/1.117050
A. Zeng, M. Zheng, L. Ma, and W. Shen, “Etching temperature dependence of optical properties of the electrochemically etched n-GaAs”, Applied Physics A, vol. 84, no. 3, pp. 317–321, Jun. 2006 DOI:10.1007/s00339-006-3621-1
I. Šimkiene, A. Kindurys, M. Treideris, and J. Sabataityte, “Formation of Porous n-A B Compounds”, Acta Physica Polonica A, vol. 113, no. 3, pp. 1085–1090, Mar. 2008 DOI:10.12693/APhysPolA.113.1085
Y. Sychikova, V. Kidalov, H. Sukach, and O. Kyrylash, “Metodyka otrymannia tadoslidzhennia morfolohii poruvatykh shariv p-InP ta p-GaAs [Methodology for rejecting the morphology of porous spheres p-InP and p-GaAs]”, Electronics and communications, Thematic issue "Electronics and nanotechnology", vol. 57, no. 4, pp. 34–36, Jan. 2010.
Y. Sychikova, V. Kidalov, and G. Sukach, “Vliyanie tipa aniona elektrolita na morfologiyu poristogo InP, poluchennogo metodom elektroliticheskogo travleniya [Influence of the type of electrolyte anion on the morphology of porous InP obtained by electrolytic etching]”, ZH. nano- і elektron. fіz., vol. 1, no. 4, pp. 69–77, 2009.