Модели параметров полупроводниковой структуры с p-n переходом основанные на применении функций Бесселя

##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##

pdf
Опубликован: Mar 28, 2011
DOI: https://doi.org/10.20535/2312-1807.2011.16.3.264209
Ключевые слова:
информативные электрофизические параметры, полупроводниковая структура с p-n переходом, одно- и двухчастотное гармоническое малосигнальное напряжение, гармонический ток на разностной частоте, функция Бесселя мнимого аргумента

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

Л.И. Самотовка
В.Л. Самотовка

Аннотация

Предложены модели для определения информативных электрофизических параметров полупроводниковой структуры с p-n переходом (ПС), учитывающие токи утечки через сопротивление параллельное p-n переходу. Они основаны на одно- и двухчастотном гармоническом малосигнальном воздействии на ПС

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Как цитировать
Самотовка, Л. ., & Самотовка, В. (2011). Модели параметров полупроводниковой структуры с p-n переходом основанные на применении функций Бесселя. Электроника и Связь, 16(3), 28–31. https://doi.org/10.20535/2312-1807.2011.16.3.264209
Выпуск
Том 16 № 3 (2011)
Раздел
Твердотельная электроника
Лицензия Creative Commons

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.

Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:

  1. Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
  2. Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
  3. Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).

Библиографические ссылки

V. L. Samotovka and L. I. Samotovka, “Mathematical modeling of currents in a semiconductor structure with a p-n junction”, Electronics and communication, no. 1, pp. 38–42, 2008

V. G. Verbitsky, V. I. Timofeev, and L. I. Samotovka, “Low-frequency method for determining the parameters of a semiconductor structurewith p-n junction”, Electronics and communication, no. 2, pp. 10–12, 2008

B. A. Fersman and V. F. Kushnir, Theory of nonlinear electrical circuits, Moscow: Svyaz, 1974.

E. Y. Yanke, F. Emde, and F. Lesh, Special functions, Moscow: Nauka, 1977