Получение тонкопленочных гетероструктур методом горячих стенок и исследование механизмов токопереноса

##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##

pdf
Опубликован: Mar 28, 2011
DOI: https://doi.org/10.20535/2312-1807.2011.16.2.268369
Ключевые слова:
метод «горячей стенки», кристаллическая структура пленок II-VI, туннельный механизм токопереноса, коэффициент неидеальности

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

Н.В. Ярошенко
Т.В. Семикина
Ю.Н. Бобренко
Л.Н Шмырева
В.Н. Комащенко
В. Пашкович
Р. Миникаев

Аннотация

Представлены результаты исследования влияния технологических параметров на тип кристаллической структуры и размер зерен пленок материалов группы II-VI, выращенных методом «горячей стенки». Измерение спектров рентгеновской дифракции позволило обнаружить, что формирующиеся микрокристаллиты состоят из наноблоков, размер которых не зависит от изменения исследуемых технологических параметров. С помощью оптической микроскопии изучена закономерность изменения размеров растущих микрокристаллитов от температуры испарителя и камеры. Результаты расчетов, сделанных на основе вольт-амперных характеристик, позволили выявить основной механизм токопереноса в гетероструктурах, выращенных на основе пленок II-VI. Делается прогноз о возможности создания резонансных туннельных структур на основе исследуемых пленок.

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Как цитировать
Ярошенко, Н. ., Семикина, Т. ., Бобренко, Ю. ., Шмырева, Л. ., Комащенко, В. ., Пашкович, В. ., & Миникаев, Р. . (2011). Получение тонкопленочных гетероструктур методом горячих стенок и исследование механизмов токопереноса. Электроника и Связь, 16(2), 28–33. https://doi.org/10.20535/2312-1807.2011.16.2.268369
Выпуск
Том 16 № 2 (2011)
Раздел
Твердотельная электроника
Лицензия Creative Commons

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.

Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:

  1. Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
  2. Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
  3. Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).

Библиографические ссылки

A. Lopez-Otero, “Hot wall epitaxy”, Thin Solid Films, vol. 49, no. 1, pp. 3–57, Feb. 1978. DOI:10.1016/0040-6090(78)90309-7

I. Kalinkin, V. Aleskovsky, and A. Simashkevich, Epitaxial filmsAIIBVI, L: Leningrad State University, 1978, p. 310.

K. Chopra, Electric phenomena in thinfilms, M.: Mir, 1972, p. 432.

Y. Bobrenko, N. Yaroshenko, G. Sheremetova, T. Semikina, and B. Atdaev, “Ultraviolet photodetectorsradiation based on ZnS thin films”, TCEA, vol. 83, no. 5, pp. 29–31, Jan. 2009.

B. Sharma and R. Purohit, Semiconductor heterojunctions, M: Sov. radio, 1979, p. 230.