Влияние условий травления на формирование регулярной пористой структуры полупроводников А3В5

##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##

pdf
Опубликован: Mar 28, 2011
DOI: https://doi.org/10.20535/2312-1807.2011.16.2.268400
Ключевые слова:
электрохимическое травление, пористые полупроводники, морфология поверхности, плотность тока

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

Е.А. Сычикова
В.В. Кидалов
Г.А. Сукач
А.И. Кирилаш
А.А. Коноваленко

Аннотация

В данной работе установлены основные факторы, влияющие на образование пористой структуры полупроводников А3В5, что является важным с точки зрения управления параметрами пористых структур. Морфология полученных пористых структур исследовалась с помощью растрового электронного микроскопа JSM-6490. Химический состав был изучен при помощи метода EDAX, дифрактометрические исследования проводились с помощью дифрактометра ДРОН-ЗМ

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Как цитировать
Сычикова, Е. ., Кидалов, В. ., Сукач, Г. ., Кирилаш, А. ., & Коноваленко, А. . (2011). Влияние условий травления на формирование регулярной пористой структуры полупроводников А3В5. Электроника и Связь, 16(2), 42–45. https://doi.org/10.20535/2312-1807.2011.16.2.268400
Выпуск
Том 16 № 2 (2011)
Раздел
Твердотельная электроника
Лицензия Creative Commons

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.

Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:

  1. Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
  2. Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
  3. Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).

Библиографические ссылки

L. Santinacci and T. Djenizian, “Electrochemical pore formation onto semiconductor surfaces”, Comptes Rendus Chimie, vol. 11, no. 9, pp. 964–983, Sep. 2008. DOI:10.1016/j.crci.2008.06.004

H. Hasegawa and T. Sato, “Electrochemical processes for formation, processing and gate control of III–V semiconductor nanostructures”, Electrochimica Acta, vol. 50, no. 15, pp. 3015–3027, May 2005. DOI:10.1016/j.electacta.2004.11.066

I. Šimkiene, A. Kindurys, M. Treideris, and J. Sabataityte, “Formation of Porous n-A B Compounds”, Acta Physica Polonica A, vol. 113, no. 3, pp. 1085–1090, Mar. 2008. DOI: 10.12693/APhysPolA.113.1085