Оценка свойств тринитридов в сильном электрическом поле
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Аннотация
В данной статье сделана попытка систематизировать существующие данные о группе тринитридов и проанализировать их поведение в условиях сильного электрического поля. С помощью аналитических выражений для времени релаксации импульса и энергии при разных механизмах рассеяния проведена оценка динамических свойств тринетридных соединений в сильных электрических полях, а также рассчитаны полетемпературная зависимость, функция заселенности долин и поле-скоростная характеристика для нитридов с разной модификацией кристаллической решетки. Результаты расчетов сопоставлены с имеющимися экспериментальными данными и с расчетами других авторов
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:- Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
- Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
- Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).
Библиографические ссылки
J. W. Orton and C. T. Foxon, “Group III nitride semiconductors for short wavelength light-emitting devices”, Reports on Progress in Physics, vol. 61, no. 1, pp. 1–75, Jan. 1998. DOI:10.1088/0034-4885/61/1/001
F. A. Ponce and D. P. Bour, “Nitride-based semiconductors for blue and green light-emitting devices”, Nature, vol. 386, no. 6623, pp. 351–359, Mar. 1997. DOI:10.1038/386351a0
S. C. Jain, M. Willander, J. Narayan, and R. V. Overstraeten, “III–nitrides: Growth, characterization, and properties”, Journal of Applied Physics, vol. 87, no. 3, pp. 965–1006, Feb. 2000. DOI:10.1063/1.371971
R. F. Davis, “Thin films and devices of diamond, silicon carbide and gallium nitride”, Physica B: Condensed Matter, vol. 185, no. 1-4, pp. 1–15, Apr. 1993. DOI: 10.1016/0921-4526(93)90210-W
Proc. 7th Int. Conf Silicon Carbide, Ill-Nitrides and Related Materials (Stockholm, 1997), ed. by G. Pensl, H. Morkoc, В. Monemar and E. Janzen (Trans Tech., Switzerland, 1998)
E. Prokhorov and N. Beletsky, Semiconductor materials for devices with intervalley electron transfer, Kharkiv: Vishcha school, 1982, p. 144.
V. Moskalyuk, Physics of electronic processes Part II. Dynamic Processes: Textbook allowance, K.: Avers, 2004, p. 186.
I. Vurgaftman, J. R. Meyer, and L. R. Ram-Mohan, “Band parameters for III–V compound semiconductors and their alloys”, Journal of Applied Physics, vol. 89, no. 11, pp. 5815–5875, Jun. 2001. DOI:10.1063/1.1368156
I. Vurgaftman and J. R. Meyer, “Band parameters for nitrogen-containing semiconductors”, Journal of Applied Physics, vol. 94, no. 6, pp. 3675–3696, Sep. 2003. DOI: 10.1063/1.1600519
S. Davydov, “Estimates of nitride parameterselements of the third group: BN, AIN, GaN andInN”, Physics and technology of semiconductors, vol. 36, no. 1, pp. 45–47, 2002.
