Измерение диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрической пленки на основе копланарной линии передачи СВЧ

##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##

pdf
Опубликован: Mar 28, 2011
DOI: https://doi.org/10.20535/2312-1807.2011.16.1.273862
Ключевые слова:
сегнетоэлектрическая пленка, копланарная линия, диэлектрическая проницаемость, тангенс диэлектрических потерь, характеристическое сопротивление, измерение

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

А.Ю. Очеретный
Ю.В. Прокопенко
В.И. Молчанов
Ю.М. Поплавко
Ю.М. Поплавко

Аннотация

Предложен метод измерения комплексной диэлектрической проницаемости сегнетоелектрической пленки, интегрированной в копланарную линию передачи. Метод основан на двух-портовом измерении частотной зависимости комплексной матрицы рассеяния отрезка копланарной линии и аппроксимации этой зависимости теоретической, рассчитанной на основе метода конечных элементов.

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Как цитировать
Очеретный, А. ., Прокопенко, Ю. ., Молчанов, В. ., Поплавко, Ю. ., & Поплавко, Ю. . (2011). Измерение диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрической пленки на основе копланарной линии передачи СВЧ. Электроника и Связь, 16(1), 23–26. https://doi.org/10.20535/2312-1807.2011.16.1.273862
Выпуск
Том 16 № 1 (2011)
Раздел
Твердотельная электроника
Лицензия Creative Commons

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.

Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:

  1. Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
  2. Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
  3. Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).

Библиографические ссылки

H. Takasu, The Ferroelectric Memory and its Applications, Journal of Electroceramics, vol. 4, no. 2/3, pp. 327–338, Jan. 2000. DOI:10.1023/A:1009910525462

A. Tagantsev, V. Sherman, K. Astafiev, J. Venkatesh, and N. Setter, “Ferroelectric Materials for Microwave Tunable Applications”, Journal of Electroceramics, vol. 11, no. 1/2, pp. 5–66, Sep. 2003. doi:10.1023/B:JECR.0000015661.81386.e6

T. M. Shaw, S. Trolier-McKinstry, and P. C. McIntyre, “The Properties of Ferroelectric Films at Small Dimensions”, Annual Review of Materials Science, vol. 30, no. 1, pp. 263–298, Aug. 2000. DOI:10.1146/annurev.matsci.30.1.263

S. Gevorgian and E. Kollberg, “Do we really need ferroelectrics in paraelectric phase only in electrically controlled microwave devices?”, IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol. 49, no. 11, pp. 2117–2124, Nov. 2001. DOI:10.1109/22.963146

B. J. Kim, S. Baik, Y. Poplavko, Y. Prokopenko, J. Y. Lim, and B. M. Kim, “Epitaxial Ba Sr TiO thin films for microwave phase shifters”, Integrated Ferroelectrics, vol. 34, no. 1-4, pp. 207–214, Feb. 2001. DOI:10.1080/10584580108012890