Вимірювання діелектричної проникності сегнетоелектричної плівки на основі копланарної лінії передачі НВЧ
Основний зміст сторінки статті
Анотація
Запропоновано метод вимірювання комплексної діелектричної проникності сегнетоелектричної плівки, інтегрованої в копланарну лінію передачі. Метод заснований на двопортовому вимірі частотної залежності комплексної матриці розсіювання відрізка копланарної лінії та апроксимації цієї залежності теоретичної, розрахованої на основі методу кінцевих елементів.
Блок інформації про статтю
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
Посилання
H. Takasu, The Ferroelectric Memory and its Applications, Journal of Electroceramics, vol. 4, no. 2/3, pp. 327–338, Jan. 2000. DOI:10.1023/A:1009910525462
A. Tagantsev, V. Sherman, K. Astafiev, J. Venkatesh, and N. Setter, “Ferroelectric Materials for Microwave Tunable Applications”, Journal of Electroceramics, vol. 11, no. 1/2, pp. 5–66, Sep. 2003. doi:10.1023/B:JECR.0000015661.81386.e6
T. M. Shaw, S. Trolier-McKinstry, and P. C. McIntyre, “The Properties of Ferroelectric Films at Small Dimensions”, Annual Review of Materials Science, vol. 30, no. 1, pp. 263–298, Aug. 2000. DOI:10.1146/annurev.matsci.30.1.263
S. Gevorgian and E. Kollberg, “Do we really need ferroelectrics in paraelectric phase only in electrically controlled microwave devices?”, IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol. 49, no. 11, pp. 2117–2124, Nov. 2001. DOI:10.1109/22.963146
B. J. Kim, S. Baik, Y. Poplavko, Y. Prokopenko, J. Y. Lim, and B. M. Kim, “Epitaxial Ba Sr TiO thin films for microwave phase shifters”, Integrated Ferroelectrics, vol. 34, no. 1-4, pp. 207–214, Feb. 2001. DOI:10.1080/10584580108012890
