Прикладная программа для моделирования переноса заряда квантово-размерных гетероструктурах с графическим интерфейсом пользователя
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Аннотация
В рамках формализма огибающих функций разработаны одно- и двухдолинные модели стационарных электронных процессов в квантоворазмерных геретоструктурах. Самосогласование заряда в квантовой области достигается использованием методом Хартри, Г-X-рассеяния на гетероинтерфейсах учитывается посредством постоянного межзонного взаимодействия. Рассеяние на оптических фононах учтено путем ввода воображаемой части в Гамильтониан, а также путем разделения всего тока через структуру на ток через когерентный и последовательный каналы. Дружественный интерфейс, реализуемый в среде MatLab, позволяет создавать любую последовательность гетерослоев для анализа большинства соединений AIIIBV.
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:- Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
- Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
- Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).
Библиографические ссылки
I. Abramov and I. Goncharenko, “Numericalcombined resonant-tuning modelnelny diode”, Physics and technology of semi-conductorwater workers, no. 39, pp. 1138–1145, 2005.
R. Lake and S. Datta, “Nonequilibrium Green’s-function method applied to double-barrier resonant-tunneling diodes”, Physical Review B, vol. 45, no. 12, pp. 6670–6685, Mar. 1992. DOI:10.1103/PhysRevB.45.6670
K. L. Jensen and F. A. Buot, “Numerical simulation of transient response and resonant‐tunneling characteristics of double‐barrier semiconductor structures as a function of experimental parameters”, Journal of Applied Physics, vol. 65, no. 12, pp. 5248–5250, Jun. 1989. DOI:10.1063/1.343120
R. Tsu and L. Esaki, “Tunneling in a finite superlattice”, Applied Physics Letters, vol. 22, no. 11, pp. 562–564, Jun. 1973. DOI:10.1063/1.1654509
G. Haddad, P. Mazumder, and J. Schulman, “Resonant tunneling diodes: models and properties”, Proceedings of the IEEE, vol. 86, no. 4, pp. 641–660, Apr. 1998. DOI:10.1109/5.663541
Package for modeling transverse transport in nanostructures WinGreen http://www.fz-juelich.de/ibn/mbe/software.html
V. Moskaliuk, V. Timofeev, and A. Fediai, “Simulation of transverse electron transport in resonant tunneling diode”, in 33rd International Spring Seminar on Electronics Technology, ISSE 2010, Warsaw, Poland, 2010, pp. 365–369. DOI:10.1109/ISSE.2010.5547319
N. Huey, Method Basicssecond quantization, Moscow: Energoatomizdat, 1984, p. 208.
H. C. Liu, “Resonant tunneling through single layer heterostructures”, Applied Physics Letters, vol. 51, no. 13, pp. 1019–1021, Sep. 1987. DOI:10.1063/1.98817
J. P. Sun, R. K. Mains, K. Yang, and G. I. Haddad, “A self‐consistent model of Γ‐ mixing in GaAs/AlAs/GaAs quantum well structures using the quantum transmitting boundary method”, Journal of Applied Physics, vol. 74, no. 8, pp. 5053–5060, Oct. 1993. DOI:10.1063/1.354288
Vasko F.T., Electronic states and opti-cal transitions in semiconductor hetero-structures, Kiev: Naukova Dumka, 1993, p. 181.
Y. Zohta and T. Tanamoto, “Improved optical model for resonant tunneling diode”, Journal of Applied Physics, vol. 74, no. 11, pp. 6996–6998, Dec. 1993. DOI:10.1063/1.355054
J. P. Sun and G. I. Haddad, “Self-Consistent Scattering Calculation of Resonant Tunneling Diode Characteristics”, VLSI Design, vol. 6, no. 1-4, pp. 83–86, Jan. 1998. DOI:10.1155/1998/78412
C. S. Lent and D. J. Kirkner, “The quantum transmitting boundary method”, Journal of Applied Physics, vol. 67, no. 10, pp. 6353–6359, May 1990. Doi:10.1063/1.345156
T. Tanoue and H. Mizuta, The physics and applicationof resonant tunnelling diode, CambridgeUniversity Press, 1993, p. 245.
I. Abramov, I. Goncharenko, N. Kolomejtseva, and A. Shilov, “RTD Investigations using Two- Band Models of Wave Function Formalism Microwave & Telecommunication Technolog”, in CriMiCo 2007. 17th International Crimean Conference, pp. 589–590.
A. Samarsky, Introduction to theorydifference schemes, Moscow: Nauka, 1971, p. 553.
R. Hockney and J. Eastwood, Moscow: Mir, 1987, p. 640.
O. Pinaud, “Transient simulations of a resonant tunneling diode”, Journal of Applied Physics, vol. 92, no. 4, pp. 1987–1994, Aug. 2002. DOI:10.1063/1.1494127
