Электротепловое моделирование теплового поля интегральных схем при размещении элементов
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Аннотация
В работе предложен метод моделирования теплового поля кристалла полупроводниковых интегральных схем (ИС), основанный на принципе электротепловой аналогии, рассматривается соответствующая электрическая схема замещения теплообмена ИС, построенная на источниках тока и сопротивлениях. Для реализации метода использован коммерческий программный инструментарий моделирования электронных схем SPICE. Приведена методика применения предложенного метода моделирования при начальном многопараметрическом размещении логических ячеек ИС. Эффективность данного метода разъяснена на тестовом примере моделирования логической схемы. Интегрирование предложенного метода моделирования с инструментариями размещения элементов ИС дает возможность контролировать в процессе проектирования качество размещения элементов с точки зрения теплового режима работы ИС
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:- Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
- Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
- Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).
Библиографические ссылки
Semiconductor Industry Association, International Technology Roadmap for Semiconductors, 2003, http: // public.itrs.net/
“Cell-level placement for improving substrate thermal distribution”, IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, vol. 19, no. 2, pp. 253–266, Feb. 2000.
A. Arutyunyan, “Increasing the uniformity of the distributiondistribution of the thermal field at the initialdisplacement of topological cells of the IS”, in III All-Russian scientific and technical conference“Problems of developing promising micro-and nanoelectronic systems. Collection of scientificProceedings, Moscow, pp. 251–254.
S. Wunsche, C. Clauss, P. Schwarz, and F. Winkler, “Electro-thermal circuit simulation using simulator coupling”, IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, vol. 5, no. 3, pp. 277–282, Sep. 1997.
G. Dulnev, Heat and mass transfer in electronic equipment, Moscow: Higher. school, 1984, p. 247.
Digital Standard Cell Library, SAED_EDK90_CORE DATABOOK: © 2008 SYNOPSYS ARMENIA Educational Department, Yerevan, 2008, 96 p
