Электропроводность титаносодержащих СИАЛОНов, полученных с различным темпом охлаждения

##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##

pdf
Опубликован: Nov 29, 2010
DOI: https://doi.org/10.20535/2312-1807.2010.59.6.279341
Ключевые слова:
электропроводность, нитрид кремния, оксид титана, гидрид титана, горячее прессование

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

С.Н. Здольник
В.И. Ильченко
В.Я. Петровский
И.В. Чернякова

Аннотация

Установлено, что технологический режим, а именно, скорость охлаждения образцов после горячего прессования, влияет на морфологию и дефектность структуры многокомпонентного материала, а электропроводность является ключевым структурочувствительным параметром

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Как цитировать
Здольник, С. ., Ильченко, В. ., Петровский, В. ., & Чернякова, И. . (2010). Электропроводность титаносодержащих СИАЛОНов, полученных с различным темпом охлаждения. Электроника и Связь, 15(6), 5–11. https://doi.org/10.20535/2312-1807.2010.59.6.279341
Выпуск
Том 15 № 6 (2010)
Раздел
Твердотельная электроника
Лицензия Creative Commons

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.

Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:

  1. Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
  2. Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
  3. Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).

Библиографические ссылки

M. Torti, “Silicon Nitride and Silicon Carbide. Propertiesand shape Capability”, Powder Metallurgy International, vol. 6, no. 4, pp. 186–189, Jan. 1974.

K. S. MAZDIYASNI and C. M. COOKE, “Consolidation, Microstructure, and Mechanical Properties of Si3N4 Doped with Rare-Earth Oxides”, Journal of the American Ceramic Society, vol. 57, no. 12, pp. 536–537, Dec. 1974. DOI:10.1111/j.1151-2916.1974.tb10806.x

I. Osipova and D. Pogorelova, “Rekristallization of silicon nitride powders athot pressing”, Powder metallurgy, no. 10, pp. 43–47, 1982.

D. Karpinos, E. Mikhashchuk, and G. Totskaya, “Composite material based on filamentsilicon ride”, in Production methods, propertieswa and applications of nitrides: Mateseminar rials, p. 74, 1980

V. Gritsenko, Y. Novikov, A. Shaposhnikov, and Y. Morokov, “Numerical simulation of intrinsic defects in SiO2 and Si3N4”, FTP, vol. 35, no. 9, pp. 1041–1049, 2001.

V. Petrovsky, “The role of the liquid phase in thestudying the properties of sialon ceramics”, CERAMICS 45, pp. 41–50, 1994.

J. Zhang, J. Yuan, Y. Ma, and A. Oates, “Design optimization of stacked layer dielectrics for minimum gate leakage currents”, Solid-State Electronics, vol. 44, no. 12, pp. 2165–2170, Dec. 2000. DOI:10.1016/S0038-1101(00)00185-4

C. Kawai and A. Yamakawa, “Crystal growth of silicon nitride whiskers through a VLS mechanism using SiO2Al2O3Y2O3 oxides as liquid phase”, Ceramics International, vol. 24, no. 2, pp. 135–138, Jan. 1998. DOI:10.1016/S0272-8842(97)00042-4

[1]R. Sabia and L. Ukrainczyk, “Surface chemistry of SiO2 and TiO2–SiO2 glasses as determined by titration of soot particles”, Journal of Non-Crystalline Solids, vol. 277, no. 1, pp. 1–9, Nov. 2000. DOI:10.1016/S0022-3093(00)00237-4

M. Kuzenkova and V. Ivzhenko, “Influence of titanium hydride additives on the structure and strength of ceramics based on silicon nitride”, in Getters, properties, and scopesNitride Applications: Seminar Proceedings, Riga: Zinatne, p. 118.

V. Petrovsky, “Physical principles andtechnological aspects of obtaining gradient composites based onoxygen-free ceramics”, Powderedmetallurgy, no. 7/8, pp. 50–54, 1998.

G. Gnesin, V. Kirilenko, and V. Petrovsky, “Quality control of hot pressedsilicon nitride dielectricmaterials”, Powder metallurgy, no. 3, pp. 53–59, 1982.

M. Levinshtein and G. Simin, Barriers (Fromcrystal to integrated circuit), Moscow: Nauka, 1987, p. 320.

J. S. Thorp and R. I. Sharif, “Electrical conductivity in hot-pressed nitrogen ceramics”, Journal of Materials Science, vol. 11, no. 8, pp. 1494–1500, Aug. 1976. DOI:10.1007/BF00540883

J. S. Thorp and R. I. Sharif, “D. C. electrical properties of hot-pressed nitrogen ceramics”, Journal of Materials Science, vol. 13, no. 2, pp. 441–449, Feb. 1978. DOI:10.1007/BF00647791

A. Rzhanov, Silicon nitride in electronics, Novosibirsk: Nauka, 1982, p. 200.

O. Golikova, “Features of the structure of films of amorphous hydrogenated silicon,precipitated by the decomposition of silane ondirect current in a magnetic field”, FTP, vol. 31, no. 7, pp. 816–819, Jan. 1997.

O. Golikova and M. Kazanin, “Filmsamorphous hydrogenated silicon with increased photosensitivity”, FTP, vol. 33, no. 1, pp. 110–113, 1999.