Моделирование полевого транзистора на нанонитях
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Аннотация
В статье приводится аналитическая модель полевого транзистора на кремниевых нанонитях с барьерными контактами Шоттки истока и стока. Модель диода Шоттки основывается на использовании процессов термоэлектронной полевой эмиссии при обратном электрическом смещении и термоэлектронного механизма эмиссии при прямом смещении. Представлены результаты расчетов и проведен анализ вольт-амперных характеристик транзистора
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:- Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
- Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
- Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).
Библиографические ссылки
S. Fortuna, “GaAs MESFET With a High-Mobility Self-Assembled Planar Nanowire Channel”, IEEE Electron Device Letters, vol. 30, no. 6, pp. 593–595, Jun. 2009 DOI:10.1109/LED.2009.2019769
J. Wang, E. Polizzi, and M. Lundstrom, “A three-dimensional quantum simulation of silicon nanowire transistors with the effective-mass approximation”, Journal of Applied Physics, vol. 96, no. 4, pp. 2192–2203, Aug. 2004 DOI:10.1063/1.1769089
D.S. Kim, Y.C. Jung, M.Y.Park, B.S.Kim, S.H.Hong, M.S. Choi, M.G.Kang, D.Whang, S.W. Hwang, “Electrical Characteristics of the Backgated Bottom-Up Silicon Nanowire FETs”, IEEE Transactions on Nanotechnology, vol. 7, no. 6, pp. 683–687, Nov. 2008 DOI:10.1109/TNANO.2008.2005636
Lee S.H., Yu Y.S., Hwang S.W., Ahn D. A, “A SPICE-Compatible New Silicon Nanowire Field-Effect Transistors (SNWFETs) Model”, IEEE Transactions on Nanotechnology, vol. 8, no. 5, pp. 643–649, Sep. 2009 DOI:10.1109/TNANO.2009.2019724
S. Zee, Physics of semiconductor devices:In 2 books, Mir., vol. 2. Moscow: Mir, 1984, p. 456.
