Распределение электрического поля и напряжения в структуре высоковольтных полупроводниковых приборов с объемным делительным слоем
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Аннотация
Проведен анализ, в результате которого установлено распределение электрического поля и напряжения в p-n переходе с объемным делительным слоем. Установлена зависимость между напряжением и параметрами структуры с объемным делительным слоем. Представлены результаты экспериментальных исследований биполярных транзисторов со встроенным объемным делительным слоем
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:- Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
- Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
- Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).
Библиографические ссылки
V. Gusev and A. Borisov, “Pulse diode withlimited recombination region”, Electronics and communications, no. 8, pp. 338–341, Jan. 2000.
J. Sin, “Optimization of the specific on-resistance of the COOLMOS/sup TM/”, IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 48, no. 2, pp. 344–348, Feb. 2001 DOI:10.1109/16.902737
J. Sin, “A novel high-voltage sustaining structure with buried oppositely doped regions”, IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 47, no. 6, pp. 1280–1285, Jun. 2000 DOI:10.1109/16.842974
A.s. No. 1407344 USSR MKI(51)5 HO1L High- Voltage bipolar transistor / V.A. Gusev, S.E.Motornaya, V.A.Konovalov (USSR). – No. 4119979; Declared 06/12/1986; Publ. 04/01/1988.
A. Blicher, Physics of force and bipolartransistors: Per. from English, Leningrad: Energoatomizdat, 1986, p. 250.
