Пороговое напряжение МОП транзисторов с наноразмерными толщинами подзатворного диэлектрика

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

В.Г. Вербицький
Л.И. Самотовка
В.Л. Самотовка

Аннотация

В работе исследованы параметры для расчета порогового напряжения МОП транзисторов с наноразмерными толщинами подзатворного диэлектрика. Предложен способ определения порогового напряжения МОП транзисторов на основе метода разностной частоты

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Как цитировать
Вербицький, В. ., Самотовка, Л. ., & Самотовка, В. . (2010). Пороговое напряжение МОП транзисторов с наноразмерными толщинами подзатворного диэлектрика. Электроника и Связь, 15(4), 11–16. https://doi.org/10.20535/2312-1807.2010.15.4.299603
Раздел
Наноструктуры и нанотехнологии в электронике

Библиографические ссылки

I. Brusentsov, “Modern methods candividing the threshold voltage field-output MOS transistors”, Foreign electronicsthrone technology, no. 10, pp. 6–20, 1990.

S. Zee, Physics of semiconductor devices, vol. 2. Moscow: Mir, 1984, p. 456.

V. Gurtov, Field effect transistors with a metal-dielectric-semiconductor structure, Petrozavodsk: PGI, 1981, p. 90.

R. Cobbold, Theory and application of fieldtransistors, Leningrad: Energy, 1975, p. 304.

L. Berman, Capacitive methods of researchof semiconductors, Leningrad: Nauka, 1972, p. 104.

D. Ferry, L. Akers, and E. Greenig, Electronicsultra-large-scale integrated circuits, Moscow: World, 1991, p. 328.