Пороговое напряжение МОП транзисторов с наноразмерными толщинами подзатворного диэлектрика
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Аннотация
В работе исследованы параметры для расчета порогового напряжения МОП транзисторов с наноразмерными толщинами подзатворного диэлектрика. Предложен способ определения порогового напряжения МОП транзисторов на основе метода разностной частоты
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:- Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
- Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
- Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).
Библиографические ссылки
I. Brusentsov, “Modern methods candividing the threshold voltage field-output MOS transistors”, Foreign electronicsthrone technology, no. 10, pp. 6–20, 1990.
S. Zee, Physics of semiconductor devices, vol. 2. Moscow: Mir, 1984, p. 456.
V. Gurtov, Field effect transistors with a metal-dielectric-semiconductor structure, Petrozavodsk: PGI, 1981, p. 90.
R. Cobbold, Theory and application of fieldtransistors, Leningrad: Energy, 1975, p. 304.
L. Berman, Capacitive methods of researchof semiconductors, Leningrad: Nauka, 1972, p. 104.
D. Ferry, L. Akers, and E. Greenig, Electronicsultra-large-scale integrated circuits, Moscow: World, 1991, p. 328.