Методика получения и исследования морфологии пористых слоев р-InP и р-GaAs
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Аннотация
Пористые слои p-типа GaAs были получены при помощи электролитического травления. При этом удалось получить пористый слой, который состоял из нанокристаллитов розмером 0,1-1 мкм. Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (XPS), энерго-дисперсионной рентгеновской спектроскопии (EDAX) и дифрактометрических исследований было определено присутствие оксидов на пористой поверхности, для удаления которых использовалась методика предварительного отжига пористых слоев в атмосфере водорода. Впервые методом фотоэлектрического травления получены пористые слои p-типа InP с размером пор 30-40 нм, толщина пористого слоя составляла 20 мкм
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:- Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
- Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
- Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).
Библиографические ссылки
V. Ulin and S. Konnikov, “The nature of the processes of electrochemical pore formation inIIIBV crystals (part 1)”, FTP, vol. 41, no. 7, pp. 854–866, Jan. 2007.
V. Ulin and S. Konnikov, “The nature of the processes of electrochemical pore formation incrystals AIIIBV (part 2)”, FTP, vol. 41, no. 7, pp. 867–877, Jan. 2007.
V. V. Kidalov, G. A. Sukach, A. S. Revenko, and A. D. Bayda, “Properties of cubic GaN films obtained by nitridation of porous GaAs(001)”, physica status solidi (a), vol. 202, no. 8, pp. 1668–1672, May 2005. doi:10.1002/pssa.200461215
L. Santinacci and T. Djenizian, “Electrochemical pore formation onto semiconductor surfaces”, Comptes Rendus. Chimie, vol. 11, no. 9, pp. 964–983, Jul. 2008. doi:10.1016/j.crci.2008.06.004
R. Srinivasan and K. Ramachandran, “Thermal diffusion in nanostructured porous InP”, Bulletin of Materials Science, vol. 31, no. 6, pp. 863–868, Nov. 2008. doi:10.1007/s12034-008-0138-6
H. Föll, S. Langa, J. Carstensen, M. Christophersen, and I. Tiginyanu, “Pores in III–V Semiconductors”, Advanced Materials, vol. 15, no. 3, pp. 183–198, Feb. 2003. doi:10.1002/adma.200390043
I. Šimkiene, A. Kindurys, M. Treideris, and J. Sabataityte, “Formation of Porous n-A B Compounds”, Acta Physica Polonica A, vol. 113, no. 3, pp. 1085–1090, Mar. 2008. doi:10.12693/APhysPolA.113.1085
U. Schlierf, D. Lockwood, M. Graham, and P. Schmuki, “Structural and optical properties of p-InP(1 0 0) anodized in halogenic acids”, Electrochimica Acta, vol. 49, no. 11, pp. 1743–1749, Apr. 2004. doi:10.1016/j.electacta.2003.12.005
S. Langa, I. M. Tiginyanu, J. Carstensen, M. Christophersen, and H. Föll, “Self-organized growth of single crystals of nanopores”, Applied Physics Letters, vol. 82, no. 2, pp. 278–280, Jan. 2003. doi:10.1063/1.1537868
V. V. Kidalov, “Optical properties of p-type porous GaAs”, Semiconductor physics, quantum electronics and optoelectronics, vol. 8, no. 4, pp. 118–120, Dec. 2005. DOI:10.15407/spqeo8.04.118
T. Sato and A. Mizohata, “Photoelectrochemical Etching and Removal of the Irregular Top Layer Formed on InP Porous Nanostructures”, Electrochemical and Solid-State Letters, vol. 11, no. 5, p. H111, Jan. 2008. doi:10.1149/1.2844216
