Детализация локализованных уровней неупорядоченных полупроводниковых структур
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Аннотация
Приведен способ описания степени неупорядоченности активных слоев полупроводниковых приборов. На основе упрощенного представления построения дефектной решетки материала, вводится функциональная зависимость энергетического спектра, дающая распределения локальных уровней в хвостах запрещенной зоны. Показана возможность объяснения структурных построений аморфной матрицы исходя из технологических режимов получения полупроводникового слоя. Предложены параметры, определяющие степень разупорядоченности материала.
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:- Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
- Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
- Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).
Библиографические ссылки
A. Sazonov, M. Meitin, D. Strahilev, and A. Nathan, “Low-temperature materials and thin-film transistors for electronics on flexible substrates”, Physics of semiconductors, vol. 40, no. 8, pp. 986–994, 2006.
J.-T. Lin and K.-D. Huang, “A High-Performance Polysilicon Thin-Film Transistor Built on a Trenched Body”, IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 55, no. 9, pp. 2417–2422, Sep. 2008. DOI:10.1109/TED.2008.927667
J. Ziman, Models of Disorder, Moscow: Mir, 1982, p. 591.
M. Brodsky, Amorphous semiconductors, Moscow: Mir, 1982, p. 420.
O. Madelung, Solid State Physics. Localized States, Moscow: Nauka. Main Editorial Board of Physical and Mathematical Literature, 1985, p. 184.
S. Mitra, Physics of Structurally Disordered Solids, N. Y.: Plenum Press, 1976, p. 351.
S. Vonsovsky and M. Katsnelson, Quantum physics of solids, Moscow: Nauka, 1983, p. 336.
B. Ridley, Quantum processes in semiconductor, Oxford University Press, 1982, p. 302.
V. Bonch-Bruevich and S. Kalashnikov, Physics of semiconductors, vol. 3. Moscow: Science. Main editorial board of physical and mathematical literature, 1987, p. 679.
M. Bykov, A. Bykov, S. Zuev, A. Mazinov, N. Slipchenko, and D. Unzhakov, “Model of photogeneration and carrier transport in the a-Si:H/c-Si structure”, Applied Radioelectronics, no. 7, pp. 71–76, 2008.
A. Onishchuk and V. Panfilov, “Mechanism of thermal decomposition of silanes”, Uspekhi khimii, vol. 70, no. 4, pp. 368–379, 2001.
A. Mazinov, E. Lisovets, and A. Karavainikov, “Influence of hydrogen concentration in the magnetron chamber on the hydrogenation of silicon amorphous film”, Bulletin of SumSU, vol. 69, no. 10, pp. 101–106, 2004.
