Оценка качества фотоэлектрических преобразователей на структурах с p-n переходом
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Аннотация
В работе представлены результаты исследований кремниевых фотоэлектрических преобразователей с различными значениями коэффициентов полезного действия и факторов заполнения. Приводятся теоретически полученные выражения параметров качества, основанные на применении модифицированных функций Бесселя, аргументы в которых пропорциональны температуре, m-фактору p-n перехода и амплитудным значениям, применяемых разночастотных гармонических напряжений. Приводится интегральный показатель качества, являющийся наибольшим значением напряжения разностной частоты при нагрузках равных эффективному сопротивлению фотоэлектрической структуры с p-n переходом.
Библ. 7, рис. 1, табл. 2
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:- Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
- Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
- Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).
Библиографические ссылки
Cotfas D., Cotfas P., Kaplanis S., Ursutiu D. (2008), “Results on series and shunt resistance in a c-Si PV cell. Comparison using existing methods and a new one”. Journal of optoelectronics and advanced materials, vol. 3, №11, pp. 3124-3130.
King D.L., Hansen B.R., Kratochvil J.A., Quintana M.A. (1997), “Dark current-voltage measurements on photovoltaic modules as a diagnostic or manufacturing tool“. «26th IEEE Photovoltaic Specialists Conference.», pp. 1125-1128.
Lee M. K., Wang J. C., Horng S. F., Meng H. F. (2010), “Extractoin of solar cell series resistance with-out presumed current-voltage function form”. Solar Energy Materials & Solar Cells, vol. 94, pp. 578-582.
Thongpron J., Kirtikara K., Jivacate C. (2006), “A method for the determination of dynamic resistance of photovoltaic modules under illumination”. Solar Energy Materials & Solar Cells, vol. 90, pp. 3078-3084.
Wolf M. and Rauschenbach H. (1963), “Series resistance effects on solar cell measurements”. Ad-vanced energy conversion, vol. 3, pp. 455-479.
Sze S. (1984), “Physics of semiconductor devices”, Мoscow: «Мir», vol. 2, p.456. (Rus)
Samotovka L.I., Samotovka V.L. (2008), “Mathematic modelling of currents in semiconductor structure with p-n junction” Electronics and Communications. «Problem in electronics», vol. 1, pp.38–42. (Rus)
