Оцінка якості фотоелектричних перетворювачів на структурах з p-n переходом
Основний зміст сторінки статті
Анотація
В роботі наводяться результати досліджень кремнієвих фотоелектричних перетворювачів з різними значеннями коефіцієнтів корисної дії та факторів заповнення. Також наводяться теоретичні вирази для параметрів якості, які отримуються з використанням модифікованих функцій Бесселя, аргументи в яких пропорційні температурі, m-фактору p-n перехода та амплітудним значенням, різночастотних гармонічних напруг. Пропонується інтегральний показник якості, який є найбільшим значенням напруги різницевої частоти коли навантаження равні ефективному опору фотоелектричної структури з p-n переходом.
Бібл. 7, рис. 1, табл. 2
Блок інформації про статтю
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
Посилання
Cotfas D., Cotfas P., Kaplanis S., Ursutiu D. (2008), “Results on series and shunt resistance in a c-Si PV cell. Comparison using existing methods and a new one”. Journal of optoelectronics and advanced materials, vol. 3, №11, pp. 3124-3130.
King D.L., Hansen B.R., Kratochvil J.A., Quintana M.A. (1997), “Dark current-voltage measurements on photovoltaic modules as a diagnostic or manufacturing tool“. «26th IEEE Photovoltaic Specialists Conference.», pp. 1125-1128.
Lee M. K., Wang J. C., Horng S. F., Meng H. F. (2010), “Extractoin of solar cell series resistance with-out presumed current-voltage function form”. Solar Energy Materials & Solar Cells, vol. 94, pp. 578-582.
Thongpron J., Kirtikara K., Jivacate C. (2006), “A method for the determination of dynamic resistance of photovoltaic modules under illumination”. Solar Energy Materials & Solar Cells, vol. 90, pp. 3078-3084.
Wolf M. and Rauschenbach H. (1963), “Series resistance effects on solar cell measurements”. Ad-vanced energy conversion, vol. 3, pp. 455-479.
Sze S. (1984), “Physics of semiconductor devices”, Мoscow: «Мir», vol. 2, p.456. (Rus)
Samotovka L.I., Samotovka V.L. (2008), “Mathematic modelling of currents in semiconductor structure with p-n junction” Electronics and Communications. «Problem in electronics», vol. 1, pp.38–42. (Rus)
