Моделирование темплетных наноструктур
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Аннотация
Целью данных исследований является нахождение оптимальных параметров для уменьшения прорастающих дислокаций в темплетных наноструктурах. Разработана методика оценивания прорастания условно-бездислокационного рельефа темплетных наноструктур. Исследовано влияние темплетный размеров на плотность дислокаций смещения темплетных наноструктур, установлена зависимость высоты прорастающей дислокации от ее радиуса, а также исследовано влияние рассогласования решетки наноструктуры на условно-бездислокационных рельеф темплетный полупроводниковых нанообразований.
Библ. 9, рис. 4.
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:- Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
- Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
- Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).
Библиографические ссылки
S. Nakamura, (1998), “The Roles of Structural Imperfections in InGaN-Based Blue Light-Emitting Di-odes and Laser Diodes,’’ Science, Vol. 281, Pp. 956 – 961, August 1998. (Eng)
S. Strite, G.B. Gao and M.E. Lin, (1973), “Large-band-gap SiC, III-V nitride, and II-VI ZnSe-based semi-conductor device technologies,’’ J. Appl. Phys., Vol. 76, Pp.1363 – 1366, April 2004. (Eng)
V.I. Osinski and N.K. Kostyukevich, “Integral optocoupler,” priority 1973.Certificate of authorship # 551730 (USSR) (Rus)
Osinsky V. Katsapov T.M. Tyavlovskaya E.A. (1984), “Structural perfection of selective GaAs regions in Si-substrate windows”. Phys. Stat. Sol. (a) Vol. 82, No2, Pp.174 -177.
V. Osinsky, D. Murchenko and H. Honarmand. (2009), “Si/A3B5 one chip integration of white LED sources,” Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Vol. 12, Pp. 240 – 250, March 2009. (Eng)
N.O. Lyakhova. (2011), “Simulation of templetnyh sizes on dyslokatsiynist nanostructures by selective epitaxy of III-nitrides”. Electronics and Communications, No 3, Pp.39 - 43. (Ukr)
V. Timofeyev, E. Faleyeva, E. Semenovskaya, A. Andryushchenko, V. Osinsky, N. Lyahova, N. Suk-hoviy. (2014), “Simulation of Influence of Template Size on Burger Dislocation in Nanostructures”. IEEE IEEE 34th International Conference ELNANO-2014, APRIL 15-18, 2014. pp. 191-193. (Eng)
V. Osinskiy, P. Deminsky, N. Lyahova, N. Suhoviy, H. Homarmand. (2004), “The dependence of Si/AIIIBV light source photoluminescence efficiency on dynamic displacements of atoms in the crystal lattice”. IEEE IEEE 34th International Conference ELNANO-2014, APRIL 15-18, 2014. pp. 171-175.(Eng)
А. Alіzade, P. Sharma and S. Gantі. (2004), “Templeted wide band-gap nanostructures” Applied bio-physics”. Vol. 95, pp. 294 – 298, December 2004. (Eng).
