Моделювання впливу темплетних розмірів на дислокаційність наноструктур при селективній епітаксії ІІІ-нітридів

Бічна панель сторінки статті

pdf
Опубліковано: бер 28, 2011
DOI: https://doi.org/10.20535/2312-1807.2011.16.3.264219
Ключові слова:
дислокації, наноструктури, GaN, селективна епітаксія, III - нітриди

Основний зміст сторінки статті

Н.О. Ляхова

Анотація

Розглянуто спрощену модель процесу зародження дефектів для оптимізації темплетних шарів нанооструктур з тривимірним обмеженням. При використанні оптимізованих темплетних шарів пористого анодного оксиду алюмінію, сформованого на Si (100) підкладці, вирощено методом хлоридгидридної газофазної епітаксії шар нітриду галію, який виявився неполярним з (11 2 0) α- орієнтацією і малою анізотропією. Спектри мікро катодолюмінісценції вирощених плівок підтверджують низьку щільність дефектів упаковки

Блок інформації про статтю

Як цитувати
Ляхова, Н. (2011). Моделювання впливу темплетних розмірів на дислокаційність наноструктур при селективній епітаксії ІІІ-нітридів. Електроніка та Зв’язок, 16(3), 39–43. https://doi.org/10.20535/2312-1807.2011.16.3.264219
Номер
Том 16 № 3 (2011)
Розділ
Твердотільна електроніка
Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:

  1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
  2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
  3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).

Посилання

V. I. Osinskii, F. M. Katsapov, and E. A. Tyavlovskaya, “Structural perfection of selective GaAs regions in Si substrate windows”, Physica Status Solidi (a), vol. 82, no. 2, pp. 399–403, Apr. 1984 DOI: 10.1002/pssa.2210820208

V. I. Osinsky, P. F. Oleksenko, A. V. Palagin, and V. G. Verbitsky, “Problems of integrationstructures of heteroelectronics with siliconIS”., Technology and design inelectronic equipment, no. 1, pp. 3–17, Jan. 1999

V. I. Osinsky, V. A. Labunov, G. G. Gorokh, N. M. Lyakhova, N. O. Lyakhova, and D. V. Solovey, “TempletniBalls for Si/A3B5 nanostructures”, Elektronikaand communication, no. 1-2, pp. 76–90, 2008

S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura, “Spontaneous emission of localized excitons in InGaN single and multiquantum well structures”, Applied Physics Letters, vol. 69, no. 27, pp. 4188–4190, Dec. 1996. DOI:10.1063/1.116981

Y. Narukawa, Y. Kawakami, M. Funato, S. Fujita, S. Fujita, and S. Nakamura, “Role of self-formed InGaN quantum dots for exciton localization in the purple laser diode emitting at 420 nm”, Applied Physics Letters, vol. 70, no. 8, pp. 981–983, Feb. 1997 DOI:10.1063/1.118455

T. Detchprohm, “Green light emitting diodes on a-plane GaN bulk substrates”, Applied Physics Letters, vol. 92, no. 24, p. 241109, Jun. 2008 DOI:10.1063/1.2945664

S.-M. Hwang, “Demonstration of nonpolar a-plane InGaN/GaN light emitting diode on r-plane sapphire substrate”, Applied Physics Letters, vol. 95, no. 7, p. 071101, Aug. 2009 DOI: 10.1063/1.3206666

P. Waltereit, “Nitride semiconductors free of electrostatic fields for efficient white light-emitting diodes”, Nature, vol. 406, no. 6798, pp. 865–868, Aug. 2000 DOI:10.1038/35022529

A. Chakraborty, “Demonstration of Nonpolar -Plane InGaN/GaN Light-Emitting Diodes on Free-Standing -Plane GaN Substrates”, Japanese Journal of Applied Physics, vol. 44, no. No. 5, pp. L173-L175, Jan. 2005 DOI:10.1143/JJAP.44.L173

M. Funato, “Blue, Green, and Amber InGaN/GaN Light-Emitting Diodes on Semipolar {11-22} GaN Bulk Substrates”, Japanese Journal of Applied Physics, vol. 45, no. No. 26, pp. L659-L662, Jun. 2006 DOI: 10.1143/JJAP.45.L659

B. Neubert, “Semipolar GaN/GaInN LEDs with more than 1mW optical output power”, Journal of Crystal Growth, vol. 298, pp. 706–709, Jan. 2007 DOI:10.1016/j.jcrysgro.2006.10.125

M. C. Schmidt, “High Power and High External Efficiency -Plane InGaN Light Emitting Diodes”, Japanese Journal of Applied Physics, vol. 46, no. No. 7, pp. L126-L128, Feb. 2007 DOI:10.1143/JJAP.46.L126

K.-C. Kim, “Improved electroluminescence on nonpolarm -plane InGaN/GaN quantum wells LEDs”, physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters, vol. 1, no. 3, pp. 125–127, May 2007 DOI:10.1002/pssr.200701061

H. Masui, S. Nakamura, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, “Nonpolar and Semipolar III-Nitride Light-Emitting Diodes: Achievements and Challenges”, IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 57, no. 1, pp. 88–100, Jan. 2010 DOI:10.1109/TED.2009.2033773

L. Freund, “Dislocation Mechanisms of Relaxation in Strained Epitaxial Films”, MRS Bulletin, vol. 17, no. 7, pp. 52–60, Jul. 1992 DOI:10.1557/S088376940004166X

I. A. Ovid’ko, “Interfaces and misfit defects in nanostructured and polycrystalline films”, Rev. Adv. Mater. Sci, vol. 1, no. 1, pp. 61–107, Jan. 2000.

A. D. Andreev, J. R. Downes, D. A. Faux, and E. P. O’Reilly, “Strain distributions in quantum dots of arbitrary shape”, Journal of Applied Physics, vol. 86, no. 1, pp. 297–305, Jul. 1999 DOI:10.1063/1.370728

A. Atkinson, K. Pinardi, and S. C. Jain, “Stability of dislocations in epitaxially strained semiconductor stripe films”, Semiconductor Science and Technology, vol. 11, no. 9, pp. 1271–1275, Sep. 1996 DOI:10.1088/0268-1242/11/9/006

A. Atkinson, S. C. Jain, and A. H. Harker, “Strain, dislocations, and critical dimensions of laterally small lattice‐mismatched semiconductor layers”, Journal of Applied Physics, vol. 77, no. 5, pp. 1907–1913, Mar. 1995 DOI:10.1063/1.358822

A. Alizadeh, P. Sharma, S. Ganti, S. F. LeBoeuf, and L. Tsakalakos, “Templated wide band-gap nanostructures”, Journal of Applied Physics, vol. 95, no. 12, pp. 8199–8206, Jun. 2004 DOI:10.1063/1.1737477

A. Atkinson and S. C. Jain, “The energy of finite systems of misfit dislocations in epitaxial strained layers”, Journal of Applied Physics, vol. 72, no. 6, pp. 2242–2248, Sep. 1992 DOI:10.1063/1.351617

A. Y. Polyakov, “Nonpolar GaN grown on Si by hydride vapor phase epitaxy using anodized Al nanomask”, Applied Physics Letters, vol. 94, no. 2, p. 022114, Jan. 2009 DOI:10.1063/1.3072614

Y. S. Cho, “Reduction of stacking fault density in m-plane GaN grown on SiC”, Applied Physics Letters, vol. 93, no. 11, p. 111904, Sep. 2008 DOI:10.1063/1.2985816