Моделювання молекулярно-променевого осадження при випаровуванні з тиглю

Основний зміст сторінки статті

Л.Ю. Цибульський

Анотація

В рамках моделі молекулярного масопереносу при випаровуванні з горизонтальної поверхні розплаву і стінок циліндричного джерела тигельного аналітично визначені граничні умови випаровування з поверхонь тигля і отримані аналітичні залежності розподілу парціальних складових парового потоку в просторі його поширення і параметри осаджуваних плівок, з урахуванням параметрів впливу рухи підкладки

Блок інформації про статтю

Як цитувати
Цибульський, . Л. . (2010). Моделювання молекулярно-променевого осадження при випаровуванні з тиглю. Електроніка та Зв’язок, 15(5), 9–14. https://doi.org/10.20535/2312-1807.2010.58.5.284289
Розділ
Наноструктури і нанотехнології в електроніці

Посилання

S. Voronov and L. Tsybulsky, “Usedbeams of neutral atoms in nanotechnologylogy. Part 2. Atomic lithography”, Elektronics and communications, no. 3, pp. 13–18, 2007.

A. Kuzmichev and L. Tsybulsky, “Simulation of film deposition during thermal vacuum evaporation from a crucible”, Electronika and connection, no. 2, pp. 78–82, 2009.

D. Smith, Thin-Film Deposition: Principles and Practice, Singapore: McGraw-Hill Co, 1997, p. 616.