Піровідгук у напівпровідниках групи АIIIВV в умовах обмеження їх деформації
Основний зміст сторінки статті
Анотація
Показано, що скалярний тепловий вплив може викликати піроелектрику в п'єзоелектричних класах полярних кристалів, і найважливіше застосування цього ефекту очікується у напівпровідниках-п'єзоелектриках групи АIIIВV. Штучний піроелектричний ефект визначається як механічно індукована поляризація в частково затиснутому п'єзоелектрику, підданому рівномірному нагріванню. Часткове затискання створюється неоднорідними граничними умовами, які обмежують теплову деформацію п'єзоелектричного кристала, забезпечуючи створення в ньому рівномірно
але не ізотропно напруженого стану. Обмеження планарною деформації в площині ( 111 ) пластини або мембрани з напівізолюючих кристалів типу АIIIВV відкриває можливості розробки нового типу мікроелектронних датчиків. Вони можуть мати переваги в порівнянні з гібридними «діелектрик- напівпровідник» датчиками і напівпровідниковими датчиками, яким необхідно охолодження.
Бібл. 4, рис. 5
Блок інформації про статтю
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
Посилання
R.Kohler, P.Padmini, G.Gerlach, G.Hofmann, R.Bruchhaus. (1998), “Pyroelectric IR-detector arrays
based on sputtered PZT thin films”. Integrated Ferroelectrics. Vol. 22, Рp.383-392.
Y. Poplavko, L. Pereverzeva. (1992), “Pyroelectricity of partially clamped piezoelectrics.” Ferroelectrics (USA). Vol. 130, Pp. 361-366.
W. Mason. (1966), ”Crystal Physics of Interaction Processes”. NY Academic Press.
L. Pereverzeva, Y. Poplavko, S. Sklyarenko, A. Chepilko, V. Zavorotny. (1992), “Thermopiezoelectricity in non-central crystals, Sov. Phys”. Solid State. Vol. 34(1), Pp.147-151.
