Морфологія поверхні мікроструктурованого пористого кремнію

Основний зміст сторінки статті

Т.Ю. Білик

Анотація

В роботі за допомогою РЕМ-досліджень вивчалася морфологія поверхні мікроструктурованих шарів пористого кремнію. одержаних хімічним способом. Конфігурація пір, їх розміри та кількість залежать, від типу, орієнтації та рівня легування основи. За наявності більшого кількості дефектів (низькоомні та неполіровані підкладки) пори вузькі (до 100 нм) та Довгі (до 10 мкм). Круглі пори діаметром до 1 мкм утворюються на полірованих і. високоомні підкладки. Товщина комірчастого шару залежить від часу травлення

Блок інформації про статтю

Як цитувати
Білик, Т. . (2011). Морфологія поверхні мікроструктурованого пористого кремнію. Електроніка та Зв’язок, 16(3), 49–54. https://doi.org/10.20535/2312-1807.2011.16.3.264283
Розділ
Твердотільна електроніка

Посилання

L. T. Canham, “Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers”, Applied Physics Letters, vol. 57, no. 10, pp. 1046–1048, Sep. 1990 DOI:10.1063/1.103561

P. Kumar, P. Lemmens, M. Ghosh, F. Ludwig, and M. Schilling, “Effect of HF Concentration on Physical and Electronic Properties of Electrochemically Formed Nanoporous Silicon”, Journal of Nanomaterials, vol. 2009, pp. 1–7, Jan. 2009 DOI:10.1155/2009/728957

E. ANGLIN, L. CHENG, W. FREEMAN, and M. SAILOR, “Porous silicon in drug delivery devices and materials☆”, Advanced Drug Delivery Reviews, vol. 60, no. 11, pp. 1266–1277, Aug. 2008 DOI: 10.1016/j.addr.2008.03.017

P. Kumar and P. Huber, “Effect of Etching Parameter on Pore Size and Porosity of Electrochemically Formed Nanoporous Silicon”, Journal of Nanomaterials, vol. 2007, pp. 1–4, Jan. 2007 DOI:10.1155/2007/89718

M. Guendouz, P. Joubert, and M. Sarret, “Effect of crystallographic directions on porous silicon formation on patterned substrates”, Materials Science and Engineering: B, vol. 69-70, pp. 43–47, Jan. 2000 DOI:10.1016/S0921-5107(99)00263-9

E. Mazel and F. Press, Planar technology of silicon devices, Moscow: Energy, 1974, p. 384.