Морфология поверхности микроструктурированного ячеистого кремния

##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##

pdf (Українська)
Опубликован: Mar 28, 2011
DOI: https://doi.org/10.20535/2312-1807.2011.16.3.264283
Ключевые слова:
пористый кремний, РЕМ, микроструктура, макрорельеф, химическое травление

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

Т.Ю. Билык

Аннотация

В работе при помощи РЭМ-исследований изучалась морфология поверхности микроструктурированных слоев пористого кремния полученных химическим способом. Конфигурация пор, их размеры и количество зависят, прежде всего, от типа, ориентации и уровня легирования основы. При наличии большого количества дефектов (низкоомные и неполированые подложки) поры узкие (до 100 нм) и длинные (до 10 мкм). Круглые поры диаметром до 1 мкм образуются на полированных и высокоомных подложках. Толщина пористого слоя зависит от времени травления

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Как цитировать
Билык, Т. . (2011). Морфология поверхности микроструктурированного ячеистого кремния. Электроника и Связь, 16(3), 49–54. https://doi.org/10.20535/2312-1807.2011.16.3.264283
Выпуск
Том 16 № 3 (2011)
Раздел
Твердотельная электроника
Лицензия Creative Commons

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.

Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:

  1. Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
  2. Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
  3. Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).

Библиографические ссылки

L. T. Canham, “Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers”, Applied Physics Letters, vol. 57, no. 10, pp. 1046–1048, Sep. 1990 DOI:10.1063/1.103561

P. Kumar, P. Lemmens, M. Ghosh, F. Ludwig, and M. Schilling, “Effect of HF Concentration on Physical and Electronic Properties of Electrochemically Formed Nanoporous Silicon”, Journal of Nanomaterials, vol. 2009, pp. 1–7, Jan. 2009 DOI:10.1155/2009/728957

E. ANGLIN, L. CHENG, W. FREEMAN, and M. SAILOR, “Porous silicon in drug delivery devices and materials☆”, Advanced Drug Delivery Reviews, vol. 60, no. 11, pp. 1266–1277, Aug. 2008 DOI: 10.1016/j.addr.2008.03.017

P. Kumar and P. Huber, “Effect of Etching Parameter on Pore Size and Porosity of Electrochemically Formed Nanoporous Silicon”, Journal of Nanomaterials, vol. 2007, pp. 1–4, Jan. 2007 DOI:10.1155/2007/89718

M. Guendouz, P. Joubert, and M. Sarret, “Effect of crystallographic directions on porous silicon formation on patterned substrates”, Materials Science and Engineering: B, vol. 69-70, pp. 43–47, Jan. 2000 DOI:10.1016/S0921-5107(99)00263-9

E. Mazel and F. Press, Planar technology of silicon devices, Moscow: Energy, 1974, p. 384.