Вплив умов травлення на формування регулярної пористої структури напівпровідників А3В5

Бічна панель сторінки статті

pdf (Русский)
Опубліковано: Mar 28, 2011
DOI: https://doi.org/10.20535/2312-1807.2011.16.2.268400
Ключові слова:
електрохімічне травлення, пористі напівпровідники, морфологія поверхні, щільність струму

Основний зміст сторінки статті

Є.А. Сичикова
В.В. Кидалов
Г.А. Сукач
А.І. Кирилаш
А.А. Коноваленко

Анотація

У цій роботі встановлені основні фактори, що впливають на утворення пористої структури напівпровідників А3В5, що є важливим з точки зору керування параметрами пористих структур. Морфологія отриманих пористих структур досліджувалась за допомогою растрового електронного мікроскопа JSM-6490. Хімічний склад був вивчений за допомогою методу EDAX, дифрактометричні дослідження проводились за допомогою дифрактометра ДРОН-ЗМ

Блок інформації про статтю

Як цитувати
Сичикова, Є. ., Кидалов, В., Сукач, Г. ., Кирилаш, А. ., & Коноваленко, А. . (2011). Вплив умов травлення на формування регулярної пористої структури напівпровідників А3В5. Електроніка та Зв’язок, 16(2), 42–45. https://doi.org/10.20535/2312-1807.2011.16.2.268400
Номер
Том 16 № 2 (2011)
Розділ
Твердотільна електроніка
Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:

  1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
  2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
  3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).

Посилання

L. Santinacci and T. Djenizian, “Electrochemical pore formation onto semiconductor surfaces”, Comptes Rendus Chimie, vol. 11, no. 9, pp. 964–983, Sep. 2008. DOI:10.1016/j.crci.2008.06.004

H. Hasegawa and T. Sato, “Electrochemical processes for formation, processing and gate control of III–V semiconductor nanostructures”, Electrochimica Acta, vol. 50, no. 15, pp. 3015–3027, May 2005. DOI:10.1016/j.electacta.2004.11.066

I. Šimkiene, A. Kindurys, M. Treideris, and J. Sabataityte, “Formation of Porous n-A B Compounds”, Acta Physica Polonica A, vol. 113, no. 3, pp. 1085–1090, Mar. 2008. DOI: 10.12693/APhysPolA.113.1085