Моделирование молекулярно-лучевого осаждения при испарении из тигля

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

Л.Ю. Цыбульский

Аннотация

В рамках модели молекулярного массопереноса при испарении с горизонтальной поверхности расплава и стенок цилиндрического тигельного источника аналитически определены граничные условия испарения с поверхностей тигля и получены аналитические зависимости распределения парциальных составляющих парового потока в пространстве его распространения и параметры осаждаемых плёнок, с учётом влияния конструкционных параметров тигля и характера движения подложки

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Как цитировать
Цыбульский, Л. . (2010). Моделирование молекулярно-лучевого осаждения при испарении из тигля. Электроника и Связь, 15(5), 9–14. https://doi.org/10.20535/2312-1807.2010.58.5.284289
Раздел
Наноструктуры и нанотехнологии в электронике

Библиографические ссылки

S. Voronov and L. Tsybulsky, “Usedbeams of neutral atoms in nanotechnologylogy. Part 2. Atomic lithography”, Elektronics and communications, no. 3, pp. 13–18, 2007.

A. Kuzmichev and L. Tsybulsky, “Simulation of film deposition during thermal vacuum evaporation from a crucible”, Electronika and connection, no. 2, pp. 78–82, 2009.

D. Smith, Thin-Film Deposition: Principles and Practice, Singapore: McGraw-Hill Co, 1997, p. 616.