Порівняння ефективності рекомбінації нерівноважних носіїв у структурах із квантовими точками й квантовими ямами, вирощених методом мос-гидридной эпітаксії

Основний зміст сторінки статті

Yu. Avksentyev
Пилип Миколайович Ларін
P. Parfenuk

Анотація

У статті наводяться результати порівняння ефективності рекомбінації нерівноважних носіїв в ІnGa квантових точках (QDs) і квантових ямах (QWs), що випромінюють у зеленому діапазоні спектра. Результати оптичних досліджень із використанням температурно-залежної фотолюмінесценції (PL) показали, що внутрішня квантова ефективність ІnGa квантових точок при кімнатній температурі була в 8,7 рази більше, ніж отримана для ІnGa квантових ям через кращу просторову локалізацію електрично заряджених часток. Результати вимірів спектрів фотолюмінесценції при різних рівнях лазерного збудження показали, що вплив поляризаційно-вбудованих електричних полів на рекомбінаційні процеси електрично заряджених часток у кантових точках мізерно малі в порівнянні із квантовими ямами. Отримані результати показують, що ІnGa квантові точки поліпшують ефективність люмінесценції світлодіодів у зеленому й блакитному спектральному діапазонах.

Бібл. 19, рис. 4, табл. 1.

Блок інформації про статтю

Як цитувати
Avksentyev, Y., Ларін, П. М., & Parfenuk, P. (2014). Порівняння ефективності рекомбінації нерівноважних носіїв у структурах із квантовими точками й квантовими ямами, вирощених методом мос-гидридной эпітаксії. Електроніка та Зв’язок, 19(2), 30–35. https://doi.org/10.20535/2312-1807.2014.19.2.142193
Розділ
Вакуумна, плазмова та квантова електроніка

Посилання

D. Leonard, M. Krinshnamurthy, C.M. Reaves, S.P. Denbaars, P.M. Petroff, Appl. Phys. Lett. 63 (1993) 3203.

F.A. Ponce, D.P. Bour, Nature 386 (1997) 351.

S. Nakamura, Science 281 (1998) 956.

Y.K. Su, S.J. Change, IEEE Trans. Electron Dev. 49 (2002) 1361.

L.W. Wu, T.C. Wen, IEEE J. Quantum Elec-tron, 38 (2002) 446.

B. Damilano, N. Grandjean, Appl. Phys. Lett., 75 (1999) 3751.

K. Tachibana, T. Someya, Appl. Phys. Lett., 74 (1999) 383.

C. Adelmann, J. Simon, Appl. Phys. Lett., 76 (2000) 1570.

L.W. Ji, Y.K. Su, S.J. Chang, J. Cryst. Growth 249 (2003) 144.

L.W. Ji, T.H. Fang, Mater. Lett. 57 (2003) 4218.

I.K. Park, M.K. Kwon, C.Y. Cho, J.Y. Kim, C.H. Cho and S.J. Park, Appl. Phys. Lett. 92, 253105 (2008).

D.J. Eaglesham and M. Cerullo, Phys. Rev. Lett. 64, 1943 (1990).

J.D. Lambkin, L. Considine, S. Walsh, G.M. Connor, C.J. McDonagh and T.J. Glynn, Appl. Phys. Lett. 65, 73 (1994).

W. Stadler, D.M. Hofmann, H.C. Alt, T. Mus-chik, B.K. Meyer, E. Weigel, G. Muller-Vogt, M. Salk, E. Rupp and K. W. Benz, Phys. Rev. B 51, 10619 (1995).

S.H. Park, J.J. Kim and H.M. Kim, J. Korean Phys. Soc. 45, 582 (2004).

Y.H. Cho, H.S. Kwack, B.J. Kwon, J. Barjon, J. Brault, B. Daudin and L.S. Dang, Appl. Phys. Lett. 89, 251914 (2006).

J. Bai, T. Wang and S. Sakai, Appl. Phys. 88, 4729 (2000).

S. Fafard, R. Leon, D. Leonard, J.L. Merz and P.M. Petroff, Phys. Rev. B 52, 5752 (1995).

Y. Narukawa, Y. Kawakami, S. Fujita and S. Nakamura, Phys. Rev. B 59, 10283 (1997).