Покращення зворотних характеристик діода Шотткі з охоронним кільцем

Бічна панель сторінки статті

PDF
Опубліковано: вер 11, 2013
DOI: https://doi.org/10.20535/2312-1807.2013.18.4.155914
Ключові слова:
гетерування, діод Шотткі, оптимізація, охоронне кільце, структурні дефекти, домішки

Основний зміст сторінки статті

N. V. Bohach
Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського»
P. L. Bezhan
V. N. Lytvynenko
M. O. Samoylov
S. V. Shutov

Анотація

  Діоди Шотткі використовуються в багатьох областях електроніки в якості випрямних та імпульсних діодів. Технологія виготовлення діода Шотткі з охоронним кільцем дає можливість суттєво поліпшити захист переходу метал-напівпровідник від можливого поверхневого пробою.

  Існуючі способи гетерування структурних дефектів і домішок в кремнії зазвичай не вписуються в той або інший технологічний маршрут виготовлення напівпровідникового приладу і тому є для нього неефективними. У зв'язку із цим доцільна розробка технологічних прийомів гетерування індивідуальна для кожного типу технологічного маршруту виготовлення напівпровідникового приладу з обліком його індивідуальних особливостей.

  Дана робота присвячена дослідженню конструктивно-технологічних особливостей виготовлення діода Шотткі з охоронним кільцем й на основі результатів аналізу проведення оптимізації технології його виготовлення, направленої на підвищення виходу придатних діодів.

  Розроблена технології дає можливість суттєво збільшити пробивні напруги р-n переходів областей охоронного кільця та значно зменшити рівень зворотних струмів діодів Шотткі.

Бібл. 4, рис. 3, табл. 1.

Блок інформації про статтю

Як цитувати
Bohach, N. V., Bezhan, P. L., Lytvynenko, V. N., Samoylov, M. O., & Shutov, S. V. (2013). Покращення зворотних характеристик діода Шотткі з охоронним кільцем. Електроніка та Зв’язок, 18(4), 9–13. https://doi.org/10.20535/2312-1807.2013.18.4.155914
Номер
Том 18 № 4 (2013)
Розділ
Твердотільна електроніка
Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:

  1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
  2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
  3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).

Посилання

Bogach N.V., Gusev V.A., Litovchenko P.G. (1981), “Gettering of packing defects and heavy metal impurities in silicon”. Semiconductor technology and microelectronics. Kiev, MY. 34. Pp. 3-20. (Rus)

Zi S. (1984), “Physics of Semiconductor Devices: In the 2 books. Book 1”. Mir, p. 456. (Rus)

Rayvi K. (1984), “Defects and impurities in semiconductor silicon”. Mir, p. 475. (Rus)

Roderick E. H. (1982), “Contacts metal-semiconductor”. M. Radio and communication, p.208. (Rus)