Тунельні пристрої із двохзонним ізолятором на основі нанорозмірних контактів надпровідних і феромагнітних шарів
Основний зміст сторінки статті
Анотація
У рамках двозонної моделі електронної структури ізолятора показано, що урахування впливу верхнього краю валентної зони на тунелювання зарядів крізь нанорозмірні шари магнітного діелектрика приводить до усунення гігантської розбіжності між теоретичними й експериментальними значеннями магнетоопору подвійних спінових фільтрів. Встановлено, що тунельний магнетоопір контактів, утворених феромагнітними Fe електродами і двозонним ізолятором, радикально залежить від положення хімічного потенціалу усередині забороненої зони діелектрика.
Бібл. 8, рис. 2.
Блок інформації про статтю
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
Посилання
Davis A.H., MacLaren A.H. (2000). [Spin dependent tunneling at finite bias], Journal of Applied Physics. Vol. 87, no. 9, pp. 5224-5226.
Kane E.O. (1957). [Band structure of indium antimonide], Journal of Physics and Chemistry of Solids. Vol. 1, no. 4, pp. 249-261.
Kingon A.I., Maria J.-P., Streiffer S. K. (2000). [Alternative dielectrics to silicon dioxide for memory and logic devices]. Nature, V. 406, no. 6799, pp. 1032-1038.
Miao G–X., Muller М., Moodera J.S. (2009). [Magnetoresistance in double spin filter tunnel junctions with nonmagnetic electrodes and its unconventional bias dependence] Physical Review Letters. Vol. 102, no. 7, pp. 076601-1 – 076601-4.
Wolf E. L. (2011). [Principles of Electron Tunneling Spectroscopy. Second Edition], New York: Oxford University Press p.599.
Worledge D.C., Geballe T.H. (2000). [Magnetoresistive double spin filter tunnel junction]. Journal of Applied Physics. Vol. 88, no. 9, pp. 5277-5279.
Harrison U. (1972). [Solid State Theory]. M.: Mir, p 616. (Rus.)
Hachaturova T.A., Belogolovskiy M.A., Hachaturov A.I. (2010). [Spin filtering in double tunnel junctions: The two-band model of the electronic structure of magnetic insulators]. Pisma v Zhurnal eksperimentalnoy i teoreticheskoy fiziki. Vol 91, no. 8. pp. 442-445. (Rus.)
