Туннельные устройства с двухзонным изолятором на основе наноразмерных контактов сверхпроводящих и ферромагнитных слоев
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Аннотация
В рамках двухзонной модели электронной структуры изолятора показано, что учет влияния верхнего края валентной зоны на туннелирование зарядов сквозь наноразмерные слои магнитного диэлектрика приводит к устранению гигантского расхождения между теоретическими и экспериментальными значениями магнетосопротивления двойных спиновых фильтров. Установлено, то туннельное магнетосопротивление контактов, образованных ферромагнитными Fe электродами и двухзонным изолятором, радикально зависит от положения химического потенциала внутри запрещенной зоны диэлектрика.
Библ. 8, рис. 2.
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:- Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
- Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
- Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).
Библиографические ссылки
Davis A.H., MacLaren A.H. (2000). [Spin dependent tunneling at finite bias], Journal of Applied Physics. Vol. 87, no. 9, pp. 5224-5226.
Kane E.O. (1957). [Band structure of indium antimonide], Journal of Physics and Chemistry of Solids. Vol. 1, no. 4, pp. 249-261.
Kingon A.I., Maria J.-P., Streiffer S. K. (2000). [Alternative dielectrics to silicon dioxide for memory and logic devices]. Nature, V. 406, no. 6799, pp. 1032-1038.
Miao G–X., Muller М., Moodera J.S. (2009). [Magnetoresistance in double spin filter tunnel junctions with nonmagnetic electrodes and its unconventional bias dependence] Physical Review Letters. Vol. 102, no. 7, pp. 076601-1 – 076601-4.
Wolf E. L. (2011). [Principles of Electron Tunneling Spectroscopy. Second Edition], New York: Oxford University Press p.599.
Worledge D.C., Geballe T.H. (2000). [Magnetoresistive double spin filter tunnel junction]. Journal of Applied Physics. Vol. 88, no. 9, pp. 5277-5279.
Harrison U. (1972). [Solid State Theory]. M.: Mir, p 616. (Rus.)
Hachaturova T.A., Belogolovskiy M.A., Hachaturov A.I. (2010). [Spin filtering in double tunnel junctions: The two-band model of the electronic structure of magnetic insulators]. Pisma v Zhurnal eksperimentalnoy i teoreticheskoy fiziki. Vol 91, no. 8. pp. 442-445. (Rus.)
