Радіаційно-термічна обробка потужних біполярних транзисторів з антіумножітельним шаром
Основний зміст сторінки статті
Анотація
Проведено аналіз та експериментальні дослідження особливостей взаємодії альфа-частинок з напівпровідником для підвищення швидкодії транзисторних структур. Результати експериментальних досліджень показали, що введення в технологічний процес виробництва потужних біполярних транзисторів радіаційно-термічної обробки пластин альфа-частками дозволило забезпечити дворазовий запас по швидкодії.
Блок інформації про статтю
Як цитувати
Borysov, A. V., Husev, V. A., & Murzyn, D. H. (2012). Радіаційно-термічна обробка потужних біполярних транзисторів з антіумножітельним шаром. Електроніка та Зв’язок, 17(5), 5–9. https://doi.org/10.20535/2312-1807.2012.17.5.217938
Номер
Розділ
Твердотільна електроніка
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
Посилання
Vobecky J. Optimization of Power Diode Char- acteristics by Means of Ion Irradiation /
J. Vobecky, P. Hazra, I. Homola // IEEE Trans. On El. Dev. – 1996. – V. 43, № 12. – P. 2283–
Гусев В.А. Радиационно-термическая обра- ботка α-частицами кремниевых эпитакси- альных структур и импульсных диодов на их основе / В.А. Гусев, А.В. Борисов // Электро- ника и связь. – 2000. – Т. 2, № 8. – С. 298– 300.
Блихер А. Физика силовых биполярных и полевых транзисторов / А. Блихер. – Л. : Энергоатомиздат, 1986. – 248 с.
