Фоточутливі структури з пористим кремнієм
Основний зміст сторінки статті
Анотація
Були досліджені пластини з шаром пористого кремнію, отримані методом хімічного травлення. З використанням монохроматора були отримані спектральні залежності фоточутливості контакту Al/пористий кремній та порівняні з аналогічною залежністю для контакту Al/c-Si. Аналіз отриманих даних показав, що фоточутливість у випадку з шаром пористого кремнію на порядок вища та на спектральній залежності спостерігається короткохвильовий «хвіст». Інтегральна фоточутливість контакту росте зі збільшенням тривалості травлення, поки не досягає насичення при часі травлення приблизно в 1,5 хвилини.
Блок інформації про статтю
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
Посилання
Беляков Л.В., Горячев Д.Н., Сресели О.М. Фотоответ и электролюминесценция структур кремний-<пористый кремний>-<химически осажденный металл> // ФТП. – 2000 – Т.34. - №11. - С. 1386-1390.
Torres-Costa V., Agulló-Rueda F., Martín- Palma R.J. Martínez-Duart J.M. Porous silicon optical devices for sensing applications // Opt. Mater. – 2005 – 27. – P. 1084—1087.
Jalkanen T., Tuura J., Mäkilä E., Salonen J. Electro-optical porous silicon gas sensor with enhanced selectivity. // Sensors and Actuators, B Chemical. – 2010 - 147 (1). - P. 100-104.
Юзова В.А., Левицкий А.А., Харлашин П.А. Развитие технологии получения и исследования пористого кремния // Журнал Сибирского федерального университета. Техника и технологии. – 2011 – Т.4. - №1. –С. 92-111.
Білик Т.Ю., Шмирєва О.М., Алябушев В.І. Електрофізичні властивості гетероструктур наноструктурований кремній/моно кремній // Электроника и связь, Тематический выпуск
«Проблемы электроники» ч. 2. – 2009. – №4- 5. – С. 59–62.
