Використання локального анодного окислення для створення запам’ятовуючих наноприладів

Бічна панель сторінки статті

PDF
Опубліковано: вер 24, 2012
DOI: https://doi.org/10.20535/2312-1807.2012.17.3.219391
Ключові слова:
локальне анодне окислення, скануючий зондовий літограф, запам’ятовуючі наноприлади, анодний оксид, надтонкі металеві плівки

Основний зміст сторінки статті

A. I. Zolot
Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського»
M. I. Hodakovskiy
P. A. Merzhvinskiy

Анотація

У роботі досліджені можливості методу локального анодного окислення (ЛАО) для отримання надщільного запису інформації з використанням негативного потенціалу на зонді атомно-силового літографа (АСЛ). Показано, що інтенсивність ЛАО поверхні металів і напівпровідників істотно залежить від таких параметрів, як час окислення, вологість повітря, вид окислюваного матеріалу і анодкатодна різниця потенціалів. Експериментально обгрунтована можливість одержання структур для запам’ятовуючих наноприладів.

Блок інформації про статтю

Як цитувати
Zolot, A. I., Hodakovskiy, M. I., & Merzhvinskiy, P. A. (2012). Використання локального анодного окислення для створення запам’ятовуючих наноприладів. Електроніка та Зв’язок, 17(3), 14–18. https://doi.org/10.20535/2312-1807.2012.17.3.219391
Номер
Том 17 № 3 (2012)
Розділ
Вакуумна, плазмова та квантова електроніка
Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:

  1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
  2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
  3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).

Посилання

Сагунова И. В., Шевяков В. И., Гаврилов С. А., Белов А. Н Кинетика локального зондового окисления сверхтонких пленок металлов V, Nb, Та, Тi, ТiN, W // Известия вузов. Электроника, 2010, №3 (83).- С.13 - 19.

Jen Fin Lin, Chih kuang Tai, Shuan Li Lin. Theoretical and experimental studies for nanooxidation of silicon wafer by atomic force microscopy // Journal Apply Physics Letters. - 2006. - v. 99. - Р. 05432-1- 054312-11.

Золот А. І., Ходаковський М. І. Дослідження фізико-технологічних процесів формування наноструктур для створення наноприладів та керування їхніми властивостями // Управ- ляющие системы и машины, 2007. - № 1. – С. 48 - 52.

Патент України UA 80154. Пристрій для виготовлення наноструктур / Золотопуп А. І., Ходаковський М. І., Ларкін С. Ю., Коржинський Ф. Й., Мержвинський П. А. - опубл. в бюл. № 13, 2007.

Патент України на корисну модель № 62412. Пристрій зондового анодного окислення наноструктур / Ходаковський М. І., Золот А. І., Ларкін С. Ю., Новіков Є. І., Галстян Г. Г. - Бюл. „Промислова власність” №16, 2011.

Золот А. И., Ходаковский Н. И. Подходы к созданию методов формирования наноэлек- тронных структур с высокой воспроизводимостью / Матер. 18-ой междунар. конф. “СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии”- КрыМиКо’2008.- Севастополь. - 2008. - С. 84 - 85.