Дослідження спектральних залежностей коефіцієнта поглинання в тонких плівках гідрованого кремнію методом постійного фотоструму з модульованим збудженням

Бічна панель сторінки статті

PDF (Русский)
Опубліковано: вер 24, 2012
DOI: https://doi.org/10.20535/2312-1807.2012.17.2.219617

Основний зміст сторінки статті

A. V. Emelyanov
Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського»
A. G. Kazanskiy
P. K. Kashkarov
S. Yu. Larkin
Ye. I. Novikov
P. A. Forshand
M. V. Khenkin

Анотація

Досліджено спектральні залежності коефіцієнта поглинання в тонких плівках аморфного гідрованого кремнію, отриманих розкладанням суміші моносілана і водню при відносній частці водню в газовій суміші, що відповідає умовам початку формування нанокристалічної фази в структурі плівок. Для вимірювання спектральних залежностей коефіцієнта поглинання запропонований і використаний модифікований метод постійного фотоструму, заснований на модуляції збудливого світлового потоку. Досліджено вплив освітлення різної тривалості на спектри поглинання плівок, виміряних запропонованим методом.За результатами дослідження плівок a-Si: H, отриманих в умовах, що відповідають початку формування кристалічної фази, можна припустити наявність у структурі плівок нанокристалів кремнію, що впливають на оптичні властивості a-Si: H.

Блок інформації про статтю

Як цитувати
Emelyanov, A. V., Kazanskiy, A. G., Kashkarov, P. K., Larkin, S. Y., Novikov, Y. I., Forshand, P. A., & Khenkin, M. V. (2012). Дослідження спектральних залежностей коефіцієнта поглинання в тонких плівках гідрованого кремнію методом постійного фотоструму з модульованим збудженням. Електроніка та Зв’язок, 17(2), 5–9. https://doi.org/10.20535/2312-1807.2012.17.2.219617
Номер
Том 17 № 2 (2012)
Розділ
Твердотільна електроніка
Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:

  1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
  2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
  3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).

Посилання

Peculiarity of constant photocurrent method for silicon films with mixed amorphous- nanocrystalline structure / A.G. Kazanskii, G. Kong, X. Zeng, H. Hao, F. Liu // J. Non-Cryst. Solids. – 2008. – Vol. 354. – P. 2282 – 2285.

Heterogeneity in hydrogenated silicon: Evi- dence for intermediately ordered chainlike objects / D.V. Tsu, B.S. Chao, S.R. Ovshinsky,S.J. Jones, J. Yang, S. Guha, R. Tsu // Phys. Rev. B. – 2001. – Vol. 63, № 12. – P. 125338-1– 125338-9.

Structural order on different length scales in amorphous silicon investigated by Raman spectroscopy / S. Muthamann, F. Köhler, R. Carius, A. Gordijn // Phys. Status. Solidi A. – 2010. – Vol. 207, № 3. – P. 544 – 547.

Direct measurement of the gap states and band tail absorption by constant photocurrent method in amorphous silicon / M. Vanecek, J. Kocka, J. Stuchlik, A. Triska // Solid State Communication. – 1981. – Vol. 39, № 11. – P. 1199 – 1202.

Уточнение метода постоянного фототока для определения плотности локализованных состояний в a -Si : H / Е.И. Теруков, Г. Мелл, О.И. Коньков, А.А. Андреев // ФТП. – 1986. – Т. 20, № 11. – С. 2106 – 2108.

Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. – М.: Физматгиз, 1963. – 496 с. – (Серия «Физика полупроводников и полупроводниковых приборов»).

Staebler D.L., Wronski C.R. Reversible conductivity changes in discharge-produced amor- phous Si // Appl. Phys. Lett. – 1977. – Vol. 31,№ 4. – P. 292 – 294.

Structural order on different length scales in amorphous silicon investigated by Raman spectroscopy / M. Shmidt, L. Korte, A. Laades, R. Stangl, Ch. Schubert, H. Angermann, E. Сonrad, K.V. Maidel // Thin Solid Films. – 2007. – Vol. 515, № 19. – P. 7475 – 7480.