Розробка програмного симулятора мереж на кристалі
Основний зміст сторінки статті
Анотація
У статті розглянуто концепцію мереж на кристале (СтнК) як перспективна альтернатива підсистемі зв'язку багатопроцесорних систем із шинною архітектурою. Як необхідний програмний засіб оцінки параметрів продуктивності СтНК розроблено симулятор мереж, розглянуто його можливості та представлені результати апробації.
Блок інформації про статтю
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
Посилання
L. T. Canham, “Silicon Quantum Wire Array Fabrication by Electrochemical and Chemical Dissolution of Wafers,” Applied Physics Letters, vol. 57, no. 10, 1990, p. 1046. doi:10.1063/1.103561
Korsunskaya N.E., Stara T.R., Homenkova L.YU., Svezhencova E.V., Mel'nichenko N.N., Sizov F.F., “Priroda izlucheniya poristogo kremniya, poluchennogo himicheskim travlenim [The nature of radiation from porous silicon obtained by chemical etching]“, Fіzika i tekhnika poluprovodnikov, vol. 44, no. 1, pp. 82 – 86, 2010
